[發(fā)明專利]在所有溫度下具有低翹曲的雙面扇出封裝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880053651.3
• 申請(qǐng)日: 2018-07-17
• 公開（公告）號(hào): CN111052370A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·H·育;M·E·塔特爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065;H01L23/528;H01L23/31;H01L23/485
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本文中揭示包含雙面再分布結(jié)構(gòu)且在所有溫度下具有低翹曲的半導(dǎo)體裝置以及相關(guān)聯(lián)系統(tǒng)及方法。在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體裝置包含：第一半導(dǎo)體裸片，其電耦合到再分布結(jié)構(gòu)的第一側(cè)；及第二半導(dǎo)體裸片，其電耦合到與所述第一側(cè)相對(duì)的所述再分布結(jié)構(gòu)的第二側(cè)。所述半導(dǎo)體裝置還包含：第一模制材料，其位于所述第一側(cè)上；第二模制材料，其位于所述第二側(cè)上；及數(shù)個(gè)導(dǎo)電柱，其電耦合到所述第一側(cè)且延伸穿過所述第一模制材料。所述第一模制材料及所述第二模制材料可具有用于抑制所述半導(dǎo)體裝置翹曲的相同體積及/或熱膨脹系數(shù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體裝置。特定來說，本技術(shù)涉及包含雙面再分布結(jié)構(gòu)且經(jīng)配置以在大范圍裝置溫度下低翹曲的半導(dǎo)體裝置以及相關(guān)聯(lián)系統(tǒng)及方法。

背景技術(shù)

微電子裝置大體上具有半導(dǎo)體裸片(即，芯片)，其包含具有高密度的極小組件的集成電路。通常，裸片包含電耦合到集成電路的極小接合墊陣列。接合墊是供應(yīng)電壓、信號(hào)等等通過其傳輸?shù)郊呻娐芳皬募呻娐穫鬏數(shù)耐獠侩娊狱c(diǎn)。在形成裸片之后，“封裝”裸片以將接合墊耦合到可更容易耦合到各種電力供應(yīng)線、信號(hào)線及接地線的較大電端子陣列。用于封裝裸片的常規(guī)工藝包含將裸片上的接合墊電耦合到引線、球墊或其它類型的電端子的陣列且囊封裸片以保護(hù)其免受環(huán)境因素(例如水分、微粒、靜電及物理沖擊)影響。

不同類型的半導(dǎo)體裸片可具有大不相同接合墊布置，但應(yīng)與類似外部裝置兼容。因此，現(xiàn)有封裝技術(shù)可包含將再分布層(RDL)附著到半導(dǎo)體裸片。RDL包含將裸片接合墊與RDL接合墊連接的線路及/或通路。RDL接合墊的引線、球墊或其它類型的電端子的陣列經(jīng)布置以與外部裝置的接合墊配合。在典型“先芯片”封裝工藝中，將裸片安裝于載體上且囊封裸片。接著，移除載體且隨后使用沉積及光刻技術(shù)來使RDL直接形成于其中定位裸片接合墊的裸片的正面上。在另一典型“后芯片”封裝工藝中，使RDL與裸片分開形成且接著將裸片安裝到RDL且囊封裸片。然而，先芯片及后芯片兩種封裝工藝的缺點(diǎn)是所得封裝易經(jīng)受翹曲。

附圖說明

圖1A及1B分別是說明根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖及俯視圖。

圖2A到2M是說明根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的各種制造階段中的半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖3是包含根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例所配置的半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng)的示意圖。

具體實(shí)施方式

下文將描述半導(dǎo)體裝置的若干實(shí)施例的特定細(xì)節(jié)。本技術(shù)的若干實(shí)施例的一個(gè)方面是：半導(dǎo)體裸片位于RDL的兩側(cè)處。預(yù)期此對(duì)稱性將相較于使用先芯片及后芯片工藝所形成的裝置而減輕翹曲。更明確來說，使用先芯片及后芯片工藝所形成的封裝在RDL的每一側(cè)上具有不同層。此類封裝易隨溫度變化而翹曲，因?yàn)镽DL、半導(dǎo)體裸片及囊封物可具有不同熱膨脹系數(shù)。過度翹曲會(huì)引起封裝故障且降低良率。根據(jù)本技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的若干實(shí)施例減輕翹曲。

在一些實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體裝置包含：第一半導(dǎo)體裸片，其電耦合到再分布結(jié)構(gòu)的第一側(cè)；第二半導(dǎo)體裸片，其電耦合到所述再分布結(jié)構(gòu)的第二側(cè)；第一模制材料，其位于所述第一側(cè)上；及第二模制材料，其位于所述第二側(cè)上。在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體裝置包含遠(yuǎn)離所述再分布結(jié)構(gòu)的至少所述第一側(cè)上的導(dǎo)電接點(diǎn)且穿過所述模制材料延伸的數(shù)個(gè)導(dǎo)電柱。在特定實(shí)施例中，所述第一半導(dǎo)體裸片及所述第二半導(dǎo)體裸片關(guān)于所述再分布結(jié)構(gòu)對(duì)稱且所述第一模制材料與所述第二模制材料相同或具有類似于所述第二模制材料的特性。在以下描述中，討論眾多特定細(xì)節(jié)以提供本技術(shù)的實(shí)施例的透徹且可能描述。然而，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，可在無一或多個(gè)特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明。在其它例子中，未展示或未詳細(xì)描述通常與半導(dǎo)體裝置相關(guān)聯(lián)的熟知結(jié)構(gòu)或操作以免使本技術(shù)的其它方面不清楚。一般來說，應(yīng)了解，除本文中所揭示的特定實(shí)施例之外，各種其它裝置、系統(tǒng)及方法也可在本技術(shù)的范圍內(nèi)。