[發(fā)明專利]處理液、試劑盒、基板的清洗方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880052428.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111033697B | 公開(公告)日: | 2023-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高橋智威;上村哲也 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 富士膠片株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/304 | 分類號(hào): | H01L21/304;C11D7/32;C11D7/50;C11D17/08 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 蔣亭 |
| 地址: | 日本國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 試劑盒 清洗 方法 | ||
本發(fā)明提供一種處理液,其為半導(dǎo)體器件用處理液,且對(duì)處理對(duì)象物的防腐性、殘?jiān)锶コ约叭毕菀种菩詢?yōu)異。并且,提供一種試劑盒及對(duì)使用上述處理液的基板進(jìn)行清洗的方法。一種處理液,其為半導(dǎo)體器件用處理液,且包含水、有機(jī)溶劑及2種以上的含氮芳香族雜環(huán)化合物。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種處理液、試劑盒及基板的清洗方法。
背景技術(shù)
使用光刻技術(shù),在基板上形成精細(xì)的電子電路圖案來制造CCD(Charge-CoupledDevice,電荷耦合器件)及存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件例如通過在基板上配置作為布線材料的金屬層及具有蝕刻停止膜及層間絕緣膜的層疊體,在該層疊體上形成抗蝕劑膜,并實(shí)施光刻步驟及干式蝕刻步驟(例如、等離子體蝕刻處理)來制造。
具體而言,在光刻步驟中,將所得到的抗蝕劑膜作為掩模,通過干式蝕刻處理對(duì)基板上的金屬層及/或?qū)娱g絕緣膜進(jìn)行蝕刻。
并且,源自金屬層及/或?qū)娱g絕緣膜等的殘留可能附著于基板、金屬層及/或?qū)娱g絕緣膜。為了去除該附著的殘留,通常使用處理液進(jìn)行清洗的情況較多。
并且,接著,通過基于灰化(Ashing)的干式方法(干灰化)或濕式方法等從層疊體去除蝕刻時(shí)用作掩模的抗蝕劑膜。使用干灰化方法來去除抗蝕劑的層疊體中可能附著有源自抗蝕劑膜等的殘留。為了去除該附著的殘留,通常使用處理液進(jìn)行清洗的情況較多。
另一方面,作為用于去除抗蝕劑膜的濕式方法,可舉出使用處理液來去除抗蝕劑膜的方式。
如上所述,處理液在半導(dǎo)體器件制造步驟中用于去除殘留(蝕刻殘?jiān)锛盎一瘹堅(jiān)?及/或抗蝕劑膜等。
例如,在專利文獻(xiàn)1中公開有作為防腐劑包含5-甲基-1H-苯并三唑(5MBTA)的清潔組合物。
以往技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:美國(guó)專利第9562211號(hào)說明書
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)課題
本發(fā)明人等對(duì)專利文獻(xiàn)1中所記載的清潔組合物(處理液)進(jìn)行研究的結(jié)果,確認(rèn)到上述處理液可能對(duì)作為布線材料及插頭材料等的金屬層(例如,包含Co的金屬層、包含W的金屬層及包含Cu的金屬層等)進(jìn)行腐蝕。即,關(guān)于處理液明確了對(duì)處理對(duì)象物的防腐性具有進(jìn)一步改善的余地。
對(duì)處理液不斷要求進(jìn)一步提高殘?jiān)锶コ浴?/p>
并且,現(xiàn)如今隨著布線的精細(xì)化,要求更進(jìn)一步降低附著于基板上的粒子狀的缺陷(異物)。即,對(duì)處理液要求缺陷抑制性。
因此,本發(fā)明的課題在于提供一種半導(dǎo)體器件用處理液,該處理液對(duì)處理對(duì)象物的防腐性、殘?jiān)锶コ约叭毕菀种菩詢?yōu)異。
并且,本發(fā)明的課題在于提供一種試劑盒及對(duì)使用上述處理液的基板進(jìn)行清洗的方法。
用于解決技術(shù)課題的手段
本發(fā)明人等為了實(shí)現(xiàn)上述問題而進(jìn)行深入研究的結(jié)果,發(fā)現(xiàn)如下情況而完成了本發(fā)明,即,通過處理液包含2種以上的含氮芳香族雜環(huán)化合物(優(yōu)選包含含氮芳香族雜環(huán)化合物(A)及含氮芳香族雜環(huán)化合物(B))能夠解決上述問題。
即,發(fā)現(xiàn)了通過以下的結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)上述目的。
(1)一種處理液,其為半導(dǎo)體器件用處理液,包含:
水;
有機(jī)溶劑;及
2種以上的含氮芳香族雜環(huán)化合物。
(2)根據(jù)(1)所述的處理液,其中,
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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