[發(fā)明專利]處理液、試劑盒、基板的清洗方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880052428.7 | 申請日: | 2018-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN111033697B | 公開(公告)日: | 2023-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高橋智威;上村哲也 | 申請(專利權(quán))人: | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;C11D7/32;C11D7/50;C11D17/08 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 蔣亭 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 試劑盒 清洗 方法 | ||
1.一種處理液,其為半導(dǎo)體器件用處理液,包含:
水;
有機溶劑;及
2種以上的含氮芳香族雜環(huán)化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理液,其中,
作為所述含氮芳香族雜環(huán)化合物,包含含氮芳香族雜環(huán)化合物A及含氮芳香族雜環(huán)化合物B,
所述含氮芳香族雜環(huán)化合物A為由下述通式(I)表示的化合物或由下述通式(IV)表示的化合物,
所述含氮芳香族雜環(huán)化合物B是選自以由下述通式(II)表示的化合物、由下述通式(III)表示的化合物及由下述通式(V)表示的化合物組成的組中的至少1種,
通式(I)中,R11及R12分別獨立地表示氫原子、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烴基,R11及R12任選彼此鍵合而形成環(huán),
通式(II)中,R21及R22分別獨立地表示氫原子、羥基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烴基,
其中,在R21是氫原子的情況下,R22表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烴基,在R21是氫原子,R22表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烴基,且所述通式(I)中的R11及R12彼此鍵合而形成苯環(huán)并且所述苯環(huán)具有取代基時,R22與所述取代基表示不同的基團,
通式(III)中,R31及R32分別獨立地表示氫原子、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烴基,
其中,在R31是氫原子的情況下,R32表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烴基,在R31是氫原子,R32表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烴基,且所述通式(I)中的R11及R12彼此鍵合而形成苯環(huán)并且苯環(huán)具有取代基時,R32與所述取代基表示不同的基團,
通式(IV)中,R41表示氫原子,R42表示氫原子、羥基、巰基或氨基,
通式(IV)中,R51及R52分別獨立地表示氫原子、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烴基,其中,R51及R52中的至少一個表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烴基。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理液,其中,
所述含氮芳香族雜環(huán)化合物A相對于所述含氮芳香族雜環(huán)化合物B的質(zhì)量含有比為2~30000。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的處理液,其中,
所述含氮芳香族雜環(huán)化合物B包含選自以由所述通式(II)表示的化合物、由所述通式(III)表示的化合物及由所述通式(V)表示的化合物組成的組中的2種化合物,
所述2種化合物的質(zhì)量比為1~10000。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項所述的處理液,其中,
所述含氮芳香族雜環(huán)化合物B的含量相對于所述處理液的總質(zhì)量為0.01質(zhì)量ppm~10000質(zhì)量ppm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的處理液,其還包含鈷離子。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理液,其中,
所述鈷離子是源自選自以氟化鈷、氯化鈷、氫氧化鈷、氧化鈷及硫酸鈷組成的組中的至少1種鈷離子源的鈷離子。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的處理液,其中,
所述含氮芳香族雜環(huán)化合物B相對于所述鈷離子的質(zhì)量含有比為1.0×102~1.0×106。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





