[發(fā)明專利]等離子體異常判定方法、半導(dǎo)體器件的制造方法、以及基板處理裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880052233.2
• 申請(qǐng)日: 2018-07-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111096080A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竹田剛;西野達(dá)彌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社國(guó)際電氣
• 主分類號(hào): H05H1/00
• 分類號(hào): H05H1/00;C23C16/52;H01L21/31;H01L21/318;H05H1/46
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 曾賢偉;郝慶芬

本發(fā)明提供一種能夠判定等離子體的異常的技術(shù)。提供以下的技術(shù)，即，使用配置在處理室內(nèi)的拍攝裝置，拍攝向上述處理室內(nèi)供給等離子體化了的氣體的氣體供給口，根據(jù)所拍攝的上述氣體供給口的圖像，檢測(cè)等離子體的發(fā)光強(qiáng)度，根據(jù)檢測(cè)出的發(fā)光強(qiáng)度，判定有無(wú)發(fā)生等離子體的異常放電和有無(wú)發(fā)生閃爍中的至少一方。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及等離子體異常判定方法、半導(dǎo)體器件的制造方法、以及基板處理裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件制造工序之一中，有時(shí)進(jìn)行以下的基板處理，即，將基板搬入基板處理裝置的處理室內(nèi)，使用等離子體使供給到處理室內(nèi)的原料氣體和反應(yīng)氣體等活化，在基板上形成絕緣膜、半導(dǎo)體膜、導(dǎo)體膜等各種膜，或除去各種膜。為了促進(jìn)堆積的薄膜的反應(yīng)，或從薄膜除去雜質(zhì)，或者輔助成膜原料的化學(xué)反應(yīng)等，而使用等離子體(例如參照專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2015-92637號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問(wèn)題

但是，如果產(chǎn)生因常年變化、未預(yù)期的原因造成的等離子體電極的劣化，則從等離子體生成部或激勵(lì)種供給口等等離子體生成部周邊產(chǎn)生電弧放電等異常放電，或產(chǎn)生等離子體的閃爍，但對(duì)這些異常狀態(tài)的應(yīng)對(duì)方法各自不同，因此有時(shí)需要嚴(yán)格地判定所產(chǎn)生的異常。

本發(fā)明的目的在于：提供能夠判定等離子體的異常的技術(shù)。

解決問(wèn)題的方案

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種技術(shù)，

使用配置在處理室內(nèi)的拍攝裝置，拍攝向上述處理室內(nèi)供給等離子體化了的氣體的氣體供給口，

根據(jù)所拍攝的上述氣體供給口的圖像，檢測(cè)等離子體的發(fā)光強(qiáng)度，

根據(jù)檢測(cè)出的發(fā)光強(qiáng)度，判定有無(wú)發(fā)生等離子體的異常放電和有無(wú)發(fā)生閃爍中的至少一方。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠判定等離子體的異常的技術(shù)。

附圖說(shuō)明

圖1是在本發(fā)明的實(shí)施方式中適合使用的基板處理裝置的縱式處理爐的概要結(jié)構(gòu)圖，是用縱截面圖表示處理爐部分的圖。

圖2是在本發(fā)明的實(shí)施方式中適合使用的基板處理裝置的縱式處理爐的概要結(jié)構(gòu)圖，是用圖1的A-A線截面圖表示處理爐部分的圖。

圖3是在本發(fā)明的實(shí)施方式中適合使用的基板處理裝置的控制器的概要結(jié)構(gòu)圖，是用框圖表示控制器的控制系統(tǒng)的圖。

圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理工序的流程圖。

圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理工序的氣體供給的定時(shí)的圖。

圖6是用反應(yīng)管的縱截面圖表示本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體異常判定時(shí)的處理室內(nèi)的結(jié)構(gòu)的圖。

圖7是用反應(yīng)管的橫截面圖表示本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體異常判定時(shí)的處理室內(nèi)的結(jié)構(gòu)的圖。

圖8是用框圖表示本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體異常判定時(shí)的控制器的控制系統(tǒng)的圖。

圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理工序所使用的等離子體的異常判定的流程圖。

圖10中的(A)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的使用等離子體監(jiān)視器拍攝氣體供給口周邊所得的圖像的一個(gè)例子的圖，是表示等離子體正常的狀態(tài)的圖。圖10中的(B)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的使用等離子體監(jiān)視器拍攝氣體供給口周邊所得的圖像的一個(gè)例子的圖，是表示等離子體異常的狀態(tài)的圖。