[發明專利]等離子體異常判定方法、半導體器件的制造方法、以及基板處理裝置

在審

• 申請號: 201880052233.2
• 申請日: 2018-07-20
• 公開（公告）號: CN111096080A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 竹田剛;西野達彌
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H05H1/00
• 分類號: H05H1/00;C23C16/52;H01L21/31;H01L21/318;H05H1/46
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 曾賢偉;郝慶芬

1.一種等離子體異常判定方法，其中，

使用配置在處理室內的拍攝裝置，拍攝向上述處理室內供給等離子體化了的氣體的氣體供給口，

根據所拍攝的上述氣體供給口的圖像，檢測等離子體的發光強度，

根據檢測出的發光強度，判定有無發生等離子體的異常放電和有無發生閃爍中的至少一方。

2.根據權利要求1所述的等離子體異常判定方法，其中，

在上述檢測出的發光強度是閾值以上的情況下，判定為發生了上述等離子體的異常放電。

3.根據權利要求1所述的等離子體異常判定方法，其中，

在上述檢測出的發光強度小于閾值，且上述檢測出的發光強度的最大值與最小值之間存在預先設定的范圍以上的差的情況下，判定為發生了上述等離子體的閃爍。

4.一種半導體器件的制造方法，其中，該制造方法包括：

經由形成在緩沖構造的壁面上的氣體供給口，向處理基板的處理室內供給等離子體化了的氣體的工序，上述緩沖構造形成生成等離子體的緩沖室；

向上述基板供給上述等離子體化了的氣體，處理上述基板的工序；

使用配置在上述處理室內的拍攝裝置，拍攝上述氣體供給口的工序；

根據所拍攝的上述氣體供給口的圖像，檢測等離子體的發光強度的工序；

根據檢測出的發光強度，判定有無發生等離子體的異常放電和有無發生閃爍中的至少一方的工序。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中，

在對上述供給等離子體化了的氣體的工序和上述處理基板的工序實施了規定次數后，進行拍攝上述氣體供給口的工序。

6.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中，

在上述判定的工序中判定為沒有發生上述等離子體的異常放電和上述閃爍的情況下，將上述基板搬入上述處理室內，進行上述處理基板的工序。

7.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中，

在上述判定的工序中，在上述檢測出的發光強度是閾值以上的情況下，判定為發生了上述等離子體的異常放電。

8.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中，

在上述判定的工序中，在上述檢測出的發光強度小于閾值，且上述檢測出的發光強度的最大值與最小值之間存在預先設定的范圍以上的差的情況下，判定為發生了上述等離子體的閃爍。

9.一種基板處理裝置，其中，具備：

處理室，其在反應管內處理基板；

緩沖室，其生成等離子體；

氣體供給部，其向上述緩沖室內供給氣體；

緩沖構造，其形成上述緩沖室，并形成有氣體供給口，該氣體供給口用于向上述處理室內供給被供給至該緩沖室內并等離子體化了的氣體；

拍攝裝置，其配置在上述處理室內，拍攝上述氣體供給口；

控制部，其具備：檢測部，其根據通過上述拍攝裝置拍攝到的上述氣體供給口的圖像，檢測等離子體的發光強度；判定部，其根據通過上述檢測部檢測出的發光強度，判定有無發生等離子體的異常放電和有無發生閃爍中的至少一方。

10.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其中，

該基板處理裝置具備在垂直方向上呈多層支持多個上述基板的基板支持工具。

11.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其中，

上述拍攝裝置的周圍被噪聲消除部件覆蓋。

12.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其中，

在通過上述檢測部檢測出的發光強度是閾值以上的情況下，上述判定部判定為發生了等離子體的異常放電。

13.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其中，

在通過上述檢測部檢測出的發光強度小于閾值，且上述發光強度的最大值與最小值之間存在預先設定的范圍以上的差的情況下，上述判定部判定為發生了等離子體的閃爍。