[發明專利]金屬醇鹽化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法

在審

• 申請號: 201880052124.0
• 申請日: 2018-08-09
• 公開（公告）號: CN111032663A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 岡田奈奈;畑瀨雅子;西田章浩;櫻井淳
• 申請（專利權）人: 株式會社ADEKA
• 主分類號: C07F5/00
• 分類號: C07F5/00;C23C16/18;H01L21/31
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 賈成功

本發明在于提供由下述通式(1)表示的金屬醇鹽化合物、含有該化合物的薄膜形成用原料及使用該原料來形成含有金屬的薄膜的薄膜的制造方法：[化1](式中，R¹表示氫原子或者碳原子數1～4的烷基，R²表示異丙基、仲丁基、叔丁基、仲戊基、1?乙基丙基或者叔戊基，R³表示氫或者碳原子數1～4的烷基，R⁴表示碳原子數1～4的烷基，M表示鈧原子、釔原子、鑭原子、鈰原子、鐠原子、釹原子、钷原子、釤原子、銪原子、釓原子、鋱原子、鏑原子、鈥原子、鉺原子、銩原子、鐿原子或者镥原子，n表示由M表示的原子的價數。但是，在M為鑭原子的情況下，R²為仲丁基、叔丁基、仲戊基、1?乙基丙基或者叔戊基)。

技術領域

本發明涉及具有特定的氨基醇作為配體的金屬醇鹽化合物、含有該化合物的薄膜形成用原料及使用了該薄膜形成用原料的含有金屬的薄膜的制造方法。

背景技術

在元素的周期表中將第3族的、從鈧(Sc)、釔(Y)和及(La)到镥(Lu)的鑭系元素總稱為稀土元素，這些稀土元素在電子學、光電子學領域中是重要的元素。這些中，釔為Y-B-C系超電導體的主要構成元素，另外，鑭是強電介質PLZT的主要構成元素。另外，大量的鑭系元素作為用于賦予作為發光材料等的功能性的添加劑來使用。

就含有這些元素的薄膜而言，能夠通過濺射法、離子鍍法、涂布熱分解法、溶膠凝膠法等MOD法、化學氣相生長法等制造法來制造，具有組成控制性、臺階高差被覆性優異、適于批量生產化、可混合集成等眾多的優點，因此包含ALD(原子層沉積，Atomic LayerDeposition)法的化學氣相生長(以下也有時簡單地記載為“CVD”)法為最適合的制造工藝。

作為化學氣相生長法中所使用的金屬供給源，報道了大量的各種各樣的原料，例如，在專利文獻1中報道了能夠用作薄膜形成用原料的由Co[O-A-NR¹R²](式中，A為可被鹵素取代的直鏈或者分支鏈的C₂～C₁₀亞烷基，R¹和R²為可被鹵素取代的直鏈或者分支狀C₁～C₇烷基)表示的鈷的叔氨基醇鹽。另外，在非專利文獻1中公開了能夠用作薄膜形成用原料的镥和釔的醇鹽化合物。但是，在非專利文獻1中公開的醇鹽化合物由于蒸氣壓低，因此生產率差，進而在用作ALD法用薄膜形成用原料的情況下，存在著在薄膜中混入了大量的殘留碳成分的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：韓國注冊專利第10-0675983號

非專利文獻

非專利文獻1：Inorg.Chem.1997,36,3545-3552“Volatile Donor-Functionalized Alkoxy Derivatives of Lutetium and Their StructuralCharacterization”

發明內容

發明要解決的課題

在使化學氣相生長用原料等氣化而在基材表面形成含有金屬的薄膜的情況下，需要蒸氣壓高、熔點低、能夠制造高品質的含有金屬的薄膜的薄膜形成用材料。在目前已知的成為稀土元素的供給源的薄膜形成用材料中，沒有顯示出這樣的物性的材料。作為成為稀土元素的供給源的薄膜形成用材料，為了提高生產率，強烈地需求蒸氣壓高的材料。

因此，本發明的目的在于提供蒸氣壓高、熔點低、特別適合作為CVD法用的薄膜形成用原料的金屬醇鹽化合物、含有該化合物的薄膜形成用原料及使用了該薄膜形成用原料的含有金屬的薄膜的制造方法。

用于解決課題的手段