[發明專利]半導體模塊、顯示裝置以及半導體模塊的制造方法有效
| 申請號: | 201880051858.7 | 申請日: | 2018-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN110998879B | 公開(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發明(設計)人: | 大沼宏彰;小野高志;東坂浩由;小野剛史;栗棲崇;幡俊雄 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;B23K26/57;G09F9/30;H01L33/08;H01L33/22 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家歡 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 模塊 顯示裝置 以及 制造 方法 | ||
本發明的半導體模塊(1),具備形成有驅動電路(11a)的基底基板(11)以及與驅動電路(11a)電連接的多個發光元件(15),相互鄰接的發光元件(15)間的距離,在俯視中,為20μm以下。
技術領域
本發明關于半導體模塊、顯示裝置以及半導體模塊的制造方法。
背景技術
專利文獻1及2中,公開了通過從發光元件使生長襯底脫落來制造的半導體模塊。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:美國專利申請公開第2010/0314605號說明書(2010年12月16日公開)。
專利文獻2:美國專利第9,472,714號說明書(2016年10月18日公開)。
發明內容
發明要解決的問題
專利文獻1及2所公開的半導體模塊中,由于設置有發光元件的基底基板并無支撐以外的功能,所以在發光裝置的構成及生長襯底的脫落工序中,未留意到是否對基底基板產生損害。因此,在上述半導體模塊中,未考慮到想要使用具有支撐以外的功能的基底基板的情況,而存在有可能對基底基板產生損害的問題。
本發明的一個方式中,其目的在于,在使生長襯底脫落的工序等中,使用具有使發光元件驅動的驅動電路的基底基板,使得對該基底基板的損傷降低。
解決問題的方法
為了解決上述課題,本發明一個方式所涉及的半導體模塊,具備形成有驅動電路的基底基板和與所述驅動電路電連接多個發光元件,在俯視中,相互鄰接的所述發光元件間的距離為20μm以下。
本發明一個方式所涉及的半導體模塊,具備:基底基板,其形成有驅動電路;多個發光元件,其與所述驅動電路電連接;以及半導體層,其在相互鄰接的所述發光元件間的空間的與所述基底基板相反側,在俯視中,遮蓋所述空間。
本發明一個方式所涉及的半導體模塊,具備基底基板及多個發光元件,所述基底基板形成有驅動電路,所述多個發光元件與所述驅動電路電連接,所述多個發光元件的每一個的與所述基底基板相反側的表面為凹凸形狀。
本發明一個方式所涉及的半導體模塊,包含:基底基板,其形成有驅動電路;多個發光元件,其與所述驅動電路電連接;樹脂,其被填充于相互鄰接的所述發光元件間的槽。
本發明一個方式所涉及的半導體模塊,包含:基底基板,其形成有驅動電路;多個發光元件,其與所述驅動電路電連接;遮光性部件或光反射性部件,其在相互鄰接的所述發光元件間的槽的所述基底基板側,在俯視中,遮蓋所述槽。
本發明一個方式所涉及的半導體模塊的制造方法,包含:從生長于生長襯底上的半導體層形成多個發光元件的工序,以及從所述多個發光元件通過激光照射而使所述生長襯底脫落的工序;形成所述多個發光元件的工序中,包含在所述激光照射時使朝向基底基板的激光通過的、相互鄰接的所述發光元件間的距離,形成為在俯視中為0.1μm以上且20μm以下的工序;所述多個發光元件,與形成于所述基底基板的驅動電路電連接。
有益效果
根據本發明的一個方式,達到一種效果,能夠在使生長襯底脫落的工序等中,使用具有使發光元件驅動的驅動電路的基底基板,且能夠降低對所述基底基板的損傷。
附圖說明
圖1的(a)是表示本發明的第一實施方式的半導體模塊的截面構成的截面圖。(b)是表示上述半導體模塊的俯視圖,(c)是如(b)所示的半導體模塊的截面圖。
圖2是說明半導體模塊的制造方法的圖。
圖3是說明本發明的第一實施方式所涉及的半導體模塊的制造方法的流程圖。
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