[發明專利]半導體模塊、顯示裝置以及半導體模塊的制造方法

有效

• 申請號: 201880051858.7
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN110998879B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 大沼宏彰;小野高志;東坂浩由;小野剛史;栗棲崇;幡俊雄
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;B23K26/57;G09F9/30;H01L33/08;H01L33/22
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 郝家歡

1.一種半導體模塊，其特征在于，

具備：

形成有驅動電路的基底基板；

與所述驅動電路電連接多個發光元件；

絕緣層，其形成在除了端子部及電極部之外的所述驅動電路的最表面；以及

樹脂，其在相互鄰接的所述發光元件間的槽的所述基底基板側，在俯視中，填充所述槽，

在俯視中，相互鄰接的所述發光元件間的距離為20μm以下，

在所述槽中，在所述絕緣層上的至少一部分形成有所述樹脂。

2.一種半導體模塊，其特征在于，具備：

基底基板，其形成有驅動電路；

多個發光元件，其與所述驅動電路電連接；

絕緣層，其形成在除了端子部及電極部之外的所述驅動電路的最表面；

樹脂，其在相互鄰接的所述發光元件間的槽的所述基底基板側，在俯視中，填充所述槽；以及

半導體層，其在相互鄰接的所述發光元件間的所述槽的與所述基底基板相反側，在俯視中，遮蓋所述槽，

在所述槽中，在所述絕緣層上的至少一部分形成有所述樹脂。

3.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其特征在于，

所述多個發光元件的每一個的與所述基底基板相反側的表面為凹凸形狀。

4.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其特征在于，

所述樹脂是遮光性部材或光反射性部件，其在俯視中，遮蓋所述槽。

5.如權利要求1或2所述的半導體模塊，其特征在于，所述樹脂的與所述基底基板相反側的表面為凹凸形狀。

6.如權利要求1或2所述的半導體模塊，其特征在于，具備配置在所述多個發光元件的每一個的上部的多個顏色轉換層。

7.一種顯示裝置，其特征在于，具備權利要求1或2所述的半導體模塊。

8.一種半導體模塊的制造方法，其特征在于，包含：

從生長在生長襯底上的半導體層上形成多個發光元件的工序；

從所述多個發光元件通過激光照射而使所述生長襯底脫落的工序；以及

在相互鄰接的所述發光元件間的槽的基底基板側，在俯視中，向所述槽填充樹脂的工序，

形成所述多個發光元件的工序中，包含在所述激光照射時使朝向基底基板的激光通過的、相互鄰接的所述發光元件間的距離，形成為在俯視中為0.1μm以上且20μm以下的工序，

所述多個發光元件與形成于所述基底基板的驅動電路電連接,

在除了端子部及電極部之外的所述驅動電路的最表面形成有絕緣層，

在所述槽中，在所述絕緣層上的至少一部分形成有所述樹脂。

9.如權利要求8所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，形成所述多個發光元件的工序還包含以下工序：在所述激光照射時使朝向所述基底基板的激光通過的、相互鄰接的所述發光元件間的空間的所述生長襯底側，在俯視中，以遮蓋所述空間的方式，使厚度為0.1μm以上且3μm以下的所述半導體層殘存，

所述半導體層為氮化物半導體層。

10.如權利要求8所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，使所述生長襯底脫落的工序包含有在所述多個發光元件的每一個的所述生長襯底側的表面形成凹凸形狀的工序。

11.如權利要求8所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，還包含在相互鄰接的所述發光元件間的槽填充樹脂的工序。

12.如權利要求11所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，在填充所述樹脂的工序中，以覆蓋所述基底基板的上面以及所述發光元件的整個露出面的方式填充所述樹脂。

13.如權利要求11所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，使所述生長襯底脫落的工序包含有在所述樹脂的所述生長襯底側的表面形成凹凸形狀的工序。