[發(fā)明專利]高密度多組件且串聯(lián)的封裝件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880051521.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111052347A | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 詹姆斯·A·伯克;約翰·巴爾蒂圖德;蓋倫·W·米勒;約翰·E·麥康奈爾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 凱米特電子公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/822 | 分類號(hào): | H01L21/822;H01L21/8224;H01G4/232;H01G4/38 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 張娜;李榮勝 |
| 地址: | 美國(guó)佛*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高密度 組件 串聯(lián) 封裝 | ||
1.一種高密度多組件封裝件,包括:
至少兩個(gè)電子組件,其中所述電子組件中的每個(gè)電子組件包括第一外部端子和第二外部端子;
至少一個(gè)電連接,其在相鄰電子組件的相鄰第一外部端子之間;
至少一個(gè)機(jī)械連接,其在所述相鄰電子組件之間;以及
其中所述至少兩個(gè)相鄰電子組件串聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度多組件封裝件,其中,所述電連接包括第一粘合劑,且所述機(jī)械連接包括第二粘合劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高密度多組件封裝件,其中,所述第一粘合劑和所述第二粘合劑獨(dú)立地選自高溫導(dǎo)電粘合劑和高溫絕緣粘合劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高密度多組件封裝件,其中,所述第二粘合劑是所述高溫絕緣粘合劑,并且所述第二粘合劑在相鄰第二外部端子之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高密度多組件封裝件,其中,所述高溫絕緣粘合劑選自環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、酚醛三聚氰胺甲醛樹脂、酚醛氯丁橡膠、間苯二酚甲醛、聚酯、聚酰亞胺、氰基丙烯酸酯、丙烯畫、苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯丁二烯共聚物、聚芳撐、聚氨酯、聚硫化物、聚酰胺、硅酮和蠟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度多組件封裝件,還包括在相鄰電子組件之間的至少一個(gè)插入件,并且所述相鄰電子組件通過互連件附接到所述插入件,其中所述插入件選自有源插入件和機(jī)械插入件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高密度多組件封裝件,其中,所述有源插入件包括有源焊盤和機(jī)械焊盤,并且其中,每個(gè)所述相鄰電子組件的外部端子通過所述有源焊盤電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高密度多組件封裝件,其中,所述有源插入件包括在相對(duì)面上的機(jī)械焊盤,其中,每個(gè)所述相鄰電子組件的外部端子獨(dú)立地機(jī)械連接到所述機(jī)械焊盤中的一個(gè)機(jī)械焊盤。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高密度多組件封裝件,其中,所述機(jī)械插入件包括在相對(duì)面上的機(jī)械焊盤,其中,每個(gè)所述相鄰電子組件的外部端子獨(dú)立地機(jī)械連接到所述機(jī)械焊盤中的一個(gè)機(jī)械焊盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高密度多組件封裝件,包括多個(gè)插入件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高密度多組件封裝件,其中,所述多個(gè)插入件中的每個(gè)插入件是有源插入件。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高密度多組件封裝件,其中,所述多個(gè)插入件中的每個(gè)插入件是機(jī)械插入件。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高密度多組件封裝件,包括至少一個(gè)所述有源插入件和至少一個(gè)所述機(jī)械插入件。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高密度多組件封裝件,其中,所述互連件選自由焊料、導(dǎo)電粘合劑、聚合物焊料和瞬態(tài)液相燒結(jié)粘合劑構(gòu)成的組。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的高密度多組件封裝件,其中,所述瞬態(tài)液相燒結(jié)粘合劑包括高熔點(diǎn)金屬和低熔點(diǎn)金屬。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的高密度多組件封裝件,其中,所述低熔點(diǎn)金屬選自由銦、錫、鉛、銻、鉍、鎘、鋅、鎵、碲、汞、鉈、硒或釙構(gòu)成的組。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的高密度多組件封裝件,其中,所述高熔點(diǎn)金屬選自由銀、銅、鋁、金、鉑、鈀、鈹、銠、鎳、鈷、鐵和鉬構(gòu)成的組。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的高密度多組件封裝件,其中,所述瞬態(tài)液相燒結(jié)粘合劑包括錫和銅或銦和銀。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





