[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880050799.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111052312A | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小川有人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社國(guó)際電氣 |
| 主分類號(hào): | H01L21/28 | 分類號(hào): | H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 楊宏軍;李文嶼 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 制造 方法 襯底 處理 裝置 程序 | ||
本發(fā)明進(jìn)行下述工序:工序(a),通過將含有第一金屬的氣體和第一還原氣體以彼此不混合的方式對(duì)表面上具有凹部的襯底進(jìn)行多次供給,從而形成第一金屬膜;工序(b),通過至少將含有第二金屬的氣體、和與第一還原氣體不同的第二還原氣體以彼此不混合的方式對(duì)襯底進(jìn)行多次供給,從而在第一金屬膜上形成第二金屬膜;及工序(c),通過對(duì)襯底供給蝕刻氣體,從而至少將第二金屬膜蝕刻。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序。
背景技術(shù)
作為半導(dǎo)體器件的制造工序的一個(gè)工序,有時(shí)進(jìn)行下述處理:利用金屬膜將在襯底表面設(shè)置的凹部?jī)?nèi)填埋(例如參見專利文獻(xiàn)1)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2015-109419號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
本發(fā)明的目的在于提供能夠使金屬膜對(duì)在襯底表面設(shè)置的凹部?jī)?nèi)的填埋處理的品質(zhì)、生產(chǎn)率提高的技術(shù)。
用于解決課題的手段
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式,提供下述技術(shù),其包括下述工序:
工序(a),通過將含有第一金屬的氣體和第一還原氣體以彼此不混合的方式對(duì)表面上具有凹部的襯底進(jìn)行多次供給,從而形成第一金屬膜;
工序(b),通過至少將含有第二金屬的氣體、和與第一還原氣體不同的第二還原氣體以彼此不混合的方式對(duì)襯底進(jìn)行多次供給,從而在第一金屬膜上形成第二金屬膜;和
工序(c),通過對(duì)襯底供給蝕刻氣體,從而至少將第二金屬膜蝕刻。
發(fā)明的效果
根據(jù)本發(fā)明,能夠使金屬膜對(duì)在襯底表面設(shè)置的凹部?jī)?nèi)的填埋處理的品質(zhì)、生產(chǎn)率提高。
附圖說(shuō)明
[圖1]為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中適合使用的襯底處理裝置的立式處理爐的概略構(gòu)成圖,是以縱截面圖示出處理爐部分的圖。
[圖2]為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中適合使用的襯底處理裝置的立式處理爐的概略構(gòu)成圖,是以圖1的A-A線截面圖示出處理爐部分的圖。
[圖3]為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中適合使用的襯底處理裝置的控制器的概略構(gòu)成圖,是以框圖示出控制器的控制系統(tǒng)的圖。
[圖4]為示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理順序的流程圖。
[圖5](a)為示出形成第一W膜之前的晶片的表面結(jié)構(gòu)的截面放大圖,(b)為示出形成第一W膜之后的晶片的表面結(jié)構(gòu)的截面放大圖,(c)為示出在第一W膜上形成第二W膜之后的晶片的表面結(jié)構(gòu)的截面放大圖,(d)為示出蝕刻途中的晶片的表面結(jié)構(gòu)的截面放大圖,(e)為示出蝕刻結(jié)束后的晶片的表面結(jié)構(gòu)的截面放大圖。
[圖6]為示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理順序的變形例的流程圖。
[圖7]為示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理順序的其他變形例的流程圖。
[圖8]為示出3DNAND的主要部分的截面結(jié)構(gòu)的圖。
[圖9](a)為示出實(shí)施例及比較例中的第一W膜及第二W膜的形成處理的總處理時(shí)間的測(cè)定結(jié)果的圖,(b)為示出第一W膜的成膜速率及第二W膜的成膜速率的測(cè)定結(jié)果的圖。
具體實(shí)施方式
<本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式>
以下,使用圖1~圖4、圖5(a)~圖5(e),對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社國(guó)際電氣,未經(jīng)株式會(huì)社國(guó)際電氣許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880050799.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





