[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序

在審

• 申請號: 201880050799.1
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN111052312A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 小川有人
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.半導體器件的制造方法，其具有下述工序：

工序(a)，通過將含有第一金屬的氣體和第一還原氣體以彼此不混合的方式對表面上具有凹部的襯底進行多次供給，從而形成第一金屬膜；

工序(b)，通過至少將含有第二金屬的氣體、和與第一還原氣體不同的第二還原氣體以彼此不混合的方式對襯底進行多次供給，從而在第一金屬膜上形成第二金屬膜；及

工序(c)，通過對襯底供給蝕刻氣體，從而至少將第二金屬膜蝕刻。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述含有第一金屬的氣體及所述含有第二金屬的氣體為鹵素系化合物，所述第一還原氣體為由氫元素構成的單質，所述第二還原氣體為包含氫元素的化合物。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第二還原氣體是構成所述第二還原氣體的各元素間的鍵能小于所述氫元素彼此的鍵能的化合物。

4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第一金屬膜和所述第二金屬膜相對所述蝕刻氣體具有實質上相等的蝕刻速率。

5.如權利要求1～3中任一項所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第二金屬膜具有低于所述第一金屬膜的應力值。

6.如權利要求1～3中任一項所述的半導體器件的制造方法，其中，在工序(a)中，使所述第一金屬膜的厚度為進行工序(c)之后殘留的所述第一金屬膜的厚度的1.1倍以上且1.2倍以下。

7.如權利要求1～3中任一項所述的半導體器件的制造方法，其中，所述含有第一金屬的氣體及所述含有第二金屬的氣體中包含的金屬元素為相同的元素。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其中，所述金屬元素為鎢。

9.如權利要求1～3中任一項所述的半導體器件的制造方法，其中，所述含有第一金屬的氣體及所述含有第二金屬的氣體中包含的金屬元素為不同的元素。

10.半導體器件的制造方法，其具有下述工序：

工序(a)，通過將含有第一金屬的氣體和第一還原氣體以彼此不混合的方式對表面上具有凹部的襯底進行多次供給，從而形成第一金屬膜；

工序(d)，通過至少將含有第二金屬的氣體、和與第一還原氣體不同的第二還原氣體同時地對襯底進行供給，從而在第一金屬膜上形成第二金屬膜；及

工序(c)，通過對襯底供給蝕刻氣體，從而至少將第二金屬膜蝕刻。

11.半導體器件的制造方法，其具有下述工序：

工序(a)，通過將含有第一金屬的氣體和第一還原氣體以彼此不混合的方式對表面上具有凹部的襯底進行多次供給，從而形成第一金屬膜；及

工序(b)，通過至少將含有第二金屬的氣體、和與第一還原氣體不同的第二還原氣體以彼此不混合的方式對襯底進行多次供給，從而在第一金屬膜上形成第二金屬膜。

12.襯底處理裝置，其具有：

供襯底被處理的處理室；

氣體供給系統，其對所述處理室內的襯底供給含有第一金屬的氣體、含有第二金屬的氣體、第一還原氣體、與所述第一還原氣體不同的第二還原氣體、及蝕刻氣體；和

控制部，其構成為控制所述氣體供給系統以在所述處理室內進行下述處理：處理(a)，通過將所述含有第一金屬的氣體和所述第一還原氣體以彼此不混合的方式對表面上具有凹部的襯底進行多次供給，從而形成第一金屬膜；處理(b)，通過至少將所述含有第二金屬的氣體和所述第二還原氣體以彼此不混合的方式對所述襯底進行多次供給，從而在第一金屬膜上形成第二金屬膜；和處理(c)，通過對所述襯底供給所述蝕刻氣體，從而至少將第二金屬膜蝕刻。

13.程序,其通過計算機使襯底處理裝置在所述襯底處理裝置的處理室內執行下述步驟：

步驟(a)，通過將含有第一金屬的氣體和第一還原氣體以彼此不混合的方式對表面上具有凹部的襯底交替地進行多次供給，從而形成第一金屬膜；

步驟(b)，通過至少將含有第二金屬的氣體、和與第一還原氣體不同的第二還原氣體以彼此不混合的方式對襯底進行多次供給，從而在第一金屬膜上形成第二金屬膜；和

步驟(c)，通過對襯底供給蝕刻氣體，從而至少將第二金屬膜蝕刻。