[發(fā)明專利]加熱器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880050701.2
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN110999532B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發(fā)明（設計）人: 鶴澤俊浩;田中壯宗;中西陽介;山田恭太郎;待永廣宣
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H05B3/84
• 分類號: H05B3/84;H05B3/12;H05B3/20
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

加熱器(1a)具備由有機高分子形成的片狀的支撐體(10)、發(fā)熱體(20)、以及與發(fā)熱體(20)接觸的一對供電用電極(30)。發(fā)熱體(20)為由含有銦氧化物作為主成分的多晶體形成的透明導電膜。加熱器(1a)中，發(fā)熱體(20)具有1.4×10^?4Ω·cm～3×10^?4Ω·cm的電阻率。發(fā)熱體(20)的厚度超過20nm且為100nm以下。

技術領域

本發(fā)明涉及加熱器。

背景技術

一直以來，已知有具備包含銦錫氧化物(ITO)的薄膜的發(fā)熱體的面狀加熱器。

例如，專利文獻1中，記載了在玻璃基板上具備將以銦錫氧化物(ITO)為主成分的糊劑燒結而形成的薄膜ITO發(fā)熱體的加熱玻璃。ITO發(fā)熱體如下形成：將具有規(guī)定的平均粒徑的ITO的球狀顆粒與溶劑和樹脂混合而制作ITO糊劑，將該ITO糊劑絲網印刷到玻璃基板上，進行燒結，從而形成。例如，ITO糊劑在480℃下燒結30分鐘。記載了由此形成具有低的電阻率且具有高的透過率的ITO發(fā)熱體。

專利文獻2中提出了一種透明面狀加熱器，其具備在聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等透明有機高分子薄膜上通過DC磁控濺射法形成有銦氧化物/Ag/銦氧化物的層疊薄膜的結構。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2016-46237號公報

專利文獻2：日本特開平6-283260號公報

發(fā)明內容

發(fā)明要解決的問題

根據專利文獻1，通過將ITO糊劑燒結而形成的ITO發(fā)熱體具有0.0001Ωcm以上且20Ωcm以下的低電阻率，并且在波長400～1500nm下具有高的透過率。另一方面，專利文獻1記載的技術中，為了可耐受ITO糊劑的燒結而必需玻璃基板等。因此，專利文獻1記載的技術中，沒有設想在由有機高分子形成的片狀的支撐體上形成作為ITO等透明導電膜的發(fā)熱體，專利文獻1中記載的加熱玻璃無法應用輥對輥(roll-to-roll)的制造。此外，難以在具有曲面形狀的位置設置或粘貼專利文獻1中記載的加熱玻璃。

根據專利文獻2的透明面狀加熱器，由于使用有機高分子薄膜作為基板，因此能夠應用輥對輥的制造。此外，認為專利文獻2的透明面狀加熱器容易設置或粘貼于具有曲面形狀的位置。但是，通常認為包含Ag薄膜的層疊體容易因薄膜產生劃痕而使Ag薄膜發(fā)生腐蝕，在制造時和施工時難以處理。需要說明的是，專利文獻2中還提出了一種透明面狀加熱器，其具備在聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等透明有機高分子薄膜上通過DC磁控濺射法形成有ITO的結構。根據該透明面狀加熱器，雖然能夠防止薄膜的劃痕所導致的腐蝕，但ITO的電阻率高，因此ITO膜具有400nm這樣的非常厚的厚度。因此，有可能因制造時或施工時的薄膜的彎曲變形而使ITO膜容易產生裂紋。

如此，根據專利文獻1，能夠在玻璃基板上通過將ITO糊劑燒結而形成低電阻率且高透明的ITO發(fā)熱體，但為了可耐受ITO糊劑的燒結而必需玻璃基板等，無法在由有機高分子形成的薄膜狀的支撐體上形成作為ITO等透明導電膜的發(fā)熱體。另一方面，專利文獻2中，提出了一種透明面狀加熱器，其將透明有機高分子薄膜用于基材，通過DC磁控濺射法形成有銦氧化物/Ag/銦氧化物薄膜層疊體或厚度400nm的ITO薄膜。但是，根據專利文獻2中記載的技術，有可能容易發(fā)生制造時或施工時的劃痕所導致的腐蝕或彎曲所導致的裂紋。

因此，本發(fā)明提供在由有機高分子形成的片狀的支撐體上形成的發(fā)熱體對刮擦或彎曲具有高的耐受性的加熱器。

用于解決問題的方案

本發(fā)明提供一種加熱器，其具備：

片狀的支撐體，其由有機高分子形成；