[發明專利]加熱器有效
| 申請號： | 201880050701.2 | 申請日： | 2018-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN110999532B | 公開（公告）日： | 2022-06-28 |
| 發明（設計）人： | 鶴澤俊浩;田中壯宗;中西陽介;山田恭太郎;待永廣宣 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | H05B3/84 | 分類號： | H05B3/84;H05B3/12;H05B3/20 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 加熱器 | ||
1.一種加熱器，其具備：
片狀的支撐體，其由有機高分子形成；
發熱體，其為由含有銦氧化物作為主成分的多晶體形成的透明導電膜；以及
至少一對供電用電極，其與所述發熱體接觸，
所述發熱體的厚度超過20nm且為100nm以下，
所述發熱體為1.4×10-4Ω·cm～2.7×10-4Ω·cm的電阻率，
通過X射線應力測定法測定的所述發熱體的內部應力為20～618MPa。
2.根據權利要求1所述的加熱器，其中，所述發熱體的載流子密度為6×1020cm-3～16×1020cm-3。
3.根據權利要求1或2所述的加熱器，其中，所述發熱體中的相對于銦原子數與錫原子數之和的錫原子數的比為0.04～0.15。
4.根據權利要求1或2所述的加熱器，其中，所述發熱體的晶粒在將具有與各晶粒的特定方向上的投影面積相等的面積的正圓的直徑假定為各晶粒的尺寸時具有150nm～500nm的平均尺寸。
5.根據權利要求1或2所述的加熱器，其中，所述發熱體中所含的氬原子的濃度以質量基準計為3.5ppm以下。
6.根據權利要求1或2所述的加熱器，其中，所述供電用電極具有1μm以上的厚度。
7.根據權利要求1或2所述的加熱器，其中，所述支撐體用選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚烯烴、聚醚醚酮和芳香族聚酰胺組成的組中的至少1者形成。
8.根據權利要求1或2所述的加熱器，其還具備：
保護薄膜，其以相較于與所述支撐體接觸的所述發熱體的主表面即第一主表面，更靠近位于所述第一主表面的相反側的所述發熱體的主表面即第二主表面的方式配置；
第一粘接層，其位于所述保護薄膜與所述發熱體之間，且與所述保護薄膜和所述發熱體接觸。
9.根據權利要求1或2所述的加熱器，其具備：
隔離膜，其以相較于所述發熱體所接觸的所述支撐體的主表面即第三主表面，更靠近位于所述第三主表面的相反側的所述支撐體的主表面即第四主表面的方式配置；
第二粘接層，其位于所述隔離膜與所述支撐體之間，且與所述隔離膜和所述支撐體接觸。
10.根據權利要求1或2所述的加熱器，其具備：
成形體，其以相較于所述發熱體所接觸的所述支撐體的主表面即第三主表面，更靠近位于所述第三主表面的相反側的所述支撐體的主表面即第四主表面的方式配置；
第二粘接層，其位于所述成形體與所述支撐體之間，且與所述成形體和所述支撐體接觸。
11.一種使用波長780～1500nm的范圍內所含的近紅外線進行處理的裝置，其中，在所述近紅外線的光路上配置有權利要求1或2所述的加熱器。
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