[發(fā)明專利]電容器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880048977.7
• 申請日: 2018-07-11
• 公開（公告）號: CN110945643A
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 中川博;蘆峰智行;村瀨康裕
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01G4/00;H01L21/316;H01L21/318;H01L27/04
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 金雪梅;王海奇

電容器(100)具備：基體材料(110)，具有相互對置的第一主面(110A)和第二主面(110B)，并在第一主面(110A)側(cè)形成有溝槽部(111)；介電膜(130)，在基體材料(110的第一主面(110A)側(cè)設(shè)置于包含溝槽部(111)的內(nèi)側(cè)的區(qū)域；導(dǎo)電體膜(140)，具有第一導(dǎo)電體層(141)和第二導(dǎo)電體層(142)，其中，上述第一導(dǎo)電體層(141)設(shè)置于包含溝槽部(111)的內(nèi)側(cè)的區(qū)域且是介電膜(130)上，上述第二導(dǎo)電體層(142)設(shè)置在第一導(dǎo)電體層(141)上；以及應(yīng)力緩和部(160)，與第一導(dǎo)電體層(141)的端部的至少一部分接觸來設(shè)置，在基體材料(110)的第一主面(110A)中的溝槽部(111)的外側(cè)，應(yīng)力緩和部(160)的厚度(T6)比導(dǎo)電體膜(140)的厚度(T4)小。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電容器。

背景技術(shù)

隨著所安裝的電子設(shè)備的高功能化，電容器需要進行電容密度的提高、耐電壓的改善等性能提高。為了提高電容器電容密度，公開有形成有由溝槽部構(gòu)成的電容器結(jié)構(gòu)的電容器。為了在高動作電壓下穩(wěn)定地動作，公開有將電容器的介電膜厚膜化的結(jié)構(gòu)。但是，若介電膜進行厚膜化，則有介電膜會因隨著膜厚而增大的介電膜的內(nèi)部應(yīng)力而損傷，且電容器的可靠性受損的可能。特別是在具有溝槽部的電容器的情況下，由于因設(shè)置了溝槽部而產(chǎn)生的基板的剛性的降低、朝向溝槽部的角部的應(yīng)力集中等，容易產(chǎn)生介電膜的損傷。

為了抑制由內(nèi)部應(yīng)力產(chǎn)生的介電膜的損傷，在專利文獻1中，公開了通過在第一主表面區(qū)域以及第二主表面區(qū)域這兩面具有電容器結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)、在第一主表面區(qū)域具有電容器結(jié)構(gòu)并在第二主表面區(qū)域具有補償結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，來減少基板的變形的電容器。

專利文獻1:日本專利第5981519號公報

然而，上部電極的內(nèi)部應(yīng)力集中于上部電極的端部。若集中于該端部的內(nèi)部應(yīng)力被傳遞至介電膜，則存在介電膜損傷的可能。但是，在專利文獻1所記載的電容器中，可抑制基板的變形，但施加于第一主表面的內(nèi)部應(yīng)力本身并未減少，特別是集中于上部電極的端部的內(nèi)部應(yīng)力未得到緩和，所以存在無法充分地抑制介電膜的損傷的可能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于這樣的事情而完成的，其目的在于提供一種能夠提高可靠性的電容器。

本發(fā)明的一個方式的電容器還具備：基體材料，具有相互對置的第一主面和第二主面，并在第一主面?zhèn)刃纬捎袦喜鄄浚唤殡娔ぃ诨w材料的第一主面?zhèn)仍O(shè)置于包含溝槽部的內(nèi)側(cè)的區(qū)域；導(dǎo)電體膜，具有第一導(dǎo)電體層和第二導(dǎo)電體層，其中，第一導(dǎo)電體層設(shè)置在包含溝槽部的內(nèi)側(cè)的區(qū)域且是介電膜上，第二導(dǎo)電體層設(shè)置在第一導(dǎo)電體層上；以及應(yīng)力緩和部，與第一導(dǎo)電體層的端部的至少一部分接觸，在基體材料的第一主面中的溝槽部的外側(cè)，應(yīng)力緩和層的厚度比導(dǎo)電體膜的厚度小。

本發(fā)明的另一方式的電容器具備：基體材料，具有相互對置的第一主面和第二主面，并在第一主面?zhèn)刃纬捎袦喜鄄浚唤殡娔ぃ诨w材料的第一主面?zhèn)仍O(shè)置于包含溝槽部的內(nèi)側(cè)的區(qū)域；導(dǎo)電體膜，具有第一導(dǎo)電體層和第二導(dǎo)電體層，其中，第一導(dǎo)電體層設(shè)置于包含溝槽部的內(nèi)側(cè)的區(qū)域且是介電膜上，第二導(dǎo)電體層，設(shè)置在第一導(dǎo)電體層上；以及應(yīng)力緩和部，與第一導(dǎo)電體層的端部的至少一部分接觸來設(shè)置，應(yīng)力緩和部的殘余應(yīng)力的朝向與第二導(dǎo)電體層的殘余應(yīng)力的朝向相反。

根據(jù)本發(fā)明，能提供一種能夠提高可靠性的電容器。

附圖說明

圖1是示意性地表示第一實施方式的電容器的結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖2是以圖1所示的電容器的應(yīng)力緩和層為中心的放大剖視圖。

圖3是表示第一實施方式的電容器的制造方法的流程圖。

圖4是表示在第一導(dǎo)電體層上設(shè)置SiO₂膜的工序的剖視圖。

圖5是表示對SiO₂膜進行圖案化來設(shè)置應(yīng)力緩和層的工序的剖視圖。