[發明專利]電容器

在審

• 申請號: 201880048977.7
• 申請日: 2018-07-11
• 公開（公告）號: CN110945643A
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 中川博;蘆峰智行;村瀨康裕
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01G4/00;H01L21/316;H01L21/318;H01L27/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 金雪梅;王海奇

1.一種電容器，具備：

基體材料，具有相互對置的第一主面和第二主面，并在上述第一主面側形成有溝槽部；

介電膜，在上述基體材料的上述第一主面側被設置于包含上述溝槽部的內側的區域；

導電體膜，具有第一導電體層和第二導電體層，其中，上述第一導電體層設置于包含上述溝槽部的內側的區域且在上述介電膜上，上述第二導電體層設置于上述第一導電體層上；以及

應力緩和部，與上述第一導電體層的端部的至少一部分接觸來設置，

在上述基體材料的上述第一主面中的上述溝槽部的外側，上述應力緩和部的厚度比上述導電體膜的厚度小。

2.一種電容器，具備：

基體材料，具有相互對置的第一主面和第二主面，并在上述第一主面側形成有溝槽部；

介電膜，在上述基體材料的上述第一主面側被設置于包含上述溝槽部的內側的區域；

導電體膜，具有第一導電體層和第二導電體層，其中，上述第一導電體層設置于包含上述溝槽部的內側的區域且在上述介電膜上，上述第二導電體層設置于上述第一導電體層上；以及

應力緩和部，與上述第一導電體層的端部的至少一部分接觸來設置，

上述應力緩和部的殘余應力的朝向與上述第二導電體層的殘余應力的朝向相反。

3.根據權利要求1或2所述的電容器，其中

上述應力緩和部設置于上述介電膜中的與上述第一導電體層對置的上表面。

4.根據權利要求3所述的電容器，其中，

在俯視上述基體材料的上述第一主面時，上述應力緩和部設置于上述第一導電體層的內側的區域。

5.根據權利要求4所述的電容器，其中，

上述應力緩和部設置于包含上述溝槽部的內側的區域。

6.根據權利要求3所述的電容器，其中，

在俯視上述基體材料的上述第一主面時，上述應力緩和部設置于上述第一導電體層的外側的區域。

7.根據權利要求1或2所述的電容器，其中，

上述應力緩和部形成于上述介電膜的內部。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的電容器，其中，

在俯視上述基體材料的上述第一主面時，上述第一導電體層的端面與上述第二導電體層的端面一致。

9.根據權利要求1～7中任一項所述的電容器，其中，

在俯視上述基體材料的上述第一主面時，上述第一導電體層的端面位于上述第二導電體層的外側。

10.根據權利要求9所述的電容器，其中，

上述應力緩和部與上述第一導電體層的上表面以及端面中的至少一方接觸來設置。

11.根據權利要求1～10中任一項所述的電容器，其中，

上述應力緩和部與上述第二導電體層非接觸。

12.根據權利要求1～10中任一項所述的電容器，其中，

上述應力緩和部設置在上述第一導電體層與上述第二導電體層之間。

13.根據權利要求1～12中任一項所述的電容器，其中，

上述第一導電體層由作為雜質包含磷、硼以及砷的至少任意一個的硅系半導體構成。

14.根據權利要求13所述的電容器，其中，

上述應力緩和部由作為雜質包含磷、硼以及砷的至少任意一個的氧化硅構成。

15.根據權利要求1～12中任一項所述的電容器，其中，

上述應力緩和部由作為雜質包含氫的氮化硅構成。

16.根據權利要求1～15中任一項所述的電容器，其中，

還具備保護膜，該保護膜避開上述第二導電體層的至少一部分來設置。