[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201880048899.0
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN111108607B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 大野泰夫;伊藤弘子
• 申請（專利權）人: 激光系統
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 溫劍;陳英俊

1.一種半導體裝置，構成整流電路，其具備：

基板，在主面上具有從外部輸入交流電力的輸入部、與形成于外部的接地體連接的接地部、向外部輸出整流后的直流電力的輸出部、以及半導體層；

第一肖特基勢壘二極管，形成為在所述半導體層的第一區域中，陰極連接到所述輸入部，陽極連接到所述接地部；

第二肖特基勢壘二極管，形成為在所述半導體層的第二區域中，陰極連接到所述輸出部，陽極連接到所述輸入部；以及

第三肖特基勢壘二極管，形成為在所述半導體層的第三區域中，陰極連接到所述輸出部，陽極連接到所述接地部，

所述第一肖特基勢壘二極管以及第二肖特基勢壘二極管的所述陽極在俯視時呈點狀的電極結構，所述第三肖特基勢壘二極管的所述陽極在俯視時呈指狀的電極結構。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述輸入部是在所述基板的主面上形成的天線。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述輸入部是通過引線鍵合與所述基板的外部的電路基板連接的輸入用焊盤電極。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述接地部以及所述輸出部分別是通過引線鍵合與所述基板的外部的電路基板連接的接地用焊盤電極以及輸出用焊盤電極。

5.一種半導體裝置，構成整流電路，其具備：

基板，在主面上具有從外部輸入交流電力的輸入部、與形成于外部的接地體連接的接地部、向外部輸出整流后的直流電力的輸出部、以及半導體層；

第一肖特基勢壘二極管，形成為在所述半導體層的第一區域中，陰極連接到所述輸入部，陽極連接到所述接地部；

第二肖特基勢壘二極管，形成為在所述半導體層的第二區域中，陰極連接到所述輸出部，陽極連接到所述輸入部；以及

第三肖特基勢壘二極管，形成為在所述半導體層的第三區域中，陰極連接到所述輸出部，陽極連接到所述接地部，

所述第三肖特基勢壘二極管的所述陽極的肖特基接觸金屬的功函數比所述第一肖特基勢壘二極管以及第二肖特基勢壘二極管中的任一者的所述陽極的肖特基接觸金屬的功函數大。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述輸入部是在所述基板的主面上形成的天線。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述輸入部是通過引線鍵合與所述基板的外部的電路基板連接的輸入用焊盤電極。

8.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述接地部以及所述輸出部分別是通過引線鍵合與所述基板的外部的電路基板連接的接地用焊盤電極以及輸出用焊盤電極。

9.一種半導體裝置，構成整流電路，其具備：

基板，在主面上具有從外部輸入交流電力的輸入部、與形成于外部的接地體連接的接地部、向外部輸出整流后的直流電力的輸出部、以及半導體層；

第一肖特基勢壘二極管，形成為在所述半導體層的第一區域中，陰極連接到所述輸入部，陽極連接到所述接地部；

第二肖特基勢壘二極管，形成為在所述半導體層的第二區域中，陰極連接到所述輸出部，陽極連接到所述輸入部；以及

第三肖特基勢壘二極管，形成為在所述半導體層的第三區域中，陰極連接到所述輸出部，陽極連接到所述接地部，

所述第三肖特基勢壘二極管的所述陽極所接觸的所述半導體層在該接觸區域，具有摻雜濃度比所述第一肖特基勢壘二極管以及第二肖特基勢壘二極管中的任一者的所述陽極所接觸的所述半導體層更低濃度的低濃度層。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，

所述輸入部是在所述基板的主面上形成的天線。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，

所述輸入部是通過引線鍵合與所述基板的外部的電路基板連接的輸入用焊盤電極。