[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201880048899.0
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN111108607B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 大野泰夫;伊藤弘子
• 申請（專利權）人: 激光系統
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 溫劍;陳英俊

本發明的半導體裝置具備：基板，在主面上具有從外部輸入交流電力的輸入部、與形成于外部的接地體連接的接地部、向外部輸出整流后的直流電力的輸出部、以及半導體層；第一肖特基勢壘二極管，形成為在所述半導體層的第一區域中，陰極連接到所述輸入部，陽極連接到所述接地部；第二肖特基勢壘二極管，形成為在所述半導體層的第二區域中，陰極連接到所述輸出部，陽極連接到所述輸入部；以及第三肖特基勢壘二極管，形成為在所述半導體層的第三區域中，陰極連接到所述輸出部，陽極連接到所述接地部。

技術領域

本公開涉及半導體裝置。

背景技術

已知對微波頻帶的高頻電力進行整流，并轉換成直流電力的整流電路(以下，稱為“微波整流電路”)(例如，參照專利文獻1)。

微波整流電路例如應用于由天線接收高頻的電磁波的整流天線裝置、和使用線圈之間的電磁感應的受電裝置。

在這種微波整流電路中，一般使用高速動作優越、寄生電容小的肖特基勢壘二極管(以下，稱為“SBD”)。而且，構成SBD的半導體芯片通常搭載于配設有天線(例如，偶極天線)等的印刷基板上，構成為利用引線鍵合與形成于該印刷基板上的配線電連接。

圖1是示出現有技術的微波整流電路的一例的圖。

圖1的微波整流電路是倍壓型的微波整流電路。倍壓型的微波整流電路構成為包括：第一SBD1，陰極連接到輸入端子U1，陽極連接到GND端子U2；第二SBD2，陰極連接到輸出端子U3，陽極連接到輸入端子U1；平滑電容器3，配設在輸出側；以及負載電阻4。

圖1中的虛線內部相當于在構成SBD的半導體芯片U’中形成的電路區域。如圖1所示，SBD的半導體芯片U’具有輸入高頻電力的輸入端子U1、GND端子U2、以及輸出通過SBD整流的直流電力的輸出端子U3。而且，該輸入端子U1、GND端子U2以及輸出端子U3分別通過引線鍵合L1、L2、L3來連接到印刷基板P’上的外部端子P1、P2、P3。此外，圖1表示從天線A接收高頻的電磁波的方式。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-023069號公報

發明內容

本發明所要解決的技術問題

然而，在微波整流電路中，通過SBD的整流作用，來將高頻電力轉換成直流。此時，為了實現高轉換效率，優選對SBD的兩端子之間，僅施加高頻電力的電壓。換言之，優選SBD的兩端子之間的電壓在除去高頻電力的電壓時，保持恒定。

這一點，在如圖1所示那樣的一般的微波整流電路中，印刷基板P’上的電位通常通過配設在該印刷基板P’上的電容器、地線、以及短截線等，保持穩定的狀態。

然而，半導體芯片U’的輸入端子U1、GND端子U2以及輸出端子U3的各端子通過引線鍵合L1、L2、L3與印刷基板P’上的配線連接，因此，這些各端子U1、U2、U3的電位受到該引線鍵合L1、L2、L3的寄生電感的影響而變動。其結果是，存在以下技術問題：即，在施加在第一SBD1的陽極與陰極這兩端子之間的電壓(以下，簡稱為“兩端子之間的電壓”)或者第二SBD2的兩端子之間的電壓中產生脈動，該第一SBD1或者第二SBD2中的整流動作不穩定，導致電力轉換的轉換效率下降。

進一步，半導體芯片U’的各端子U1、U2、U3的電壓變動根據引線鍵合L1、L2、L3的寄生電感、或半導體芯片U’與印刷基板P’之間的寄生電容，引起諧振，在第一SBD1的兩端子之間或者第二SBD2的兩端子之間產生異常電壓，也有可能破壞該第一SBD1或第二SBD2。

本公開是鑒于上述問題而做出的，其目的在于提供一種能夠進行穩定的整流動作的半導體裝置。

用于解決技術問題的技術方案