[發明專利]陶瓷電路基板及其制造方法有效
| 申請號： | 201880048695.7 | 申請日： | 2018-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN110945974B | 公開（公告）日： | 2023-05-16 |
| 發明（設計）人： | 湯淺晃正;原田祐作;中村貴裕;森田周平;西村浩二 | 申請（專利權）人： | 電化株式會社 |
| 主分類號： | H05K1/09 | 分類號： | H05K1/09;B23K1/00;B23K1/19;B23K35/30;C22C5/06;H01L23/13;H05K1/03;H05K3/38 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 楊宏軍;唐崢 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陶瓷 路基 及其 制造 方法 | ||
1.一種陶瓷電路基板，其在陶瓷基板上隔著釬料層設置電路圖案，
利用由電路圖案的外周溢出的釬料層形成有溢出部，
釬料層含有Ag、Cu及Ti；和Sn或In，
從溢出部外周起沿著陶瓷基板與電路圖案的接合界面朝著內側連續地形成有300μm以上的富Ag相，接合空隙率為1.0％以下，
其中，富Ag相是指用Ag固溶體形成的相，其中含有作為電子束激發X射線分析裝置即EPMA中的定量分析為80％以上的Ag，
所述接合空隙率是測量用超聲波探傷裝置觀察到的接合空隙的面積、除以電路圖案的面積而算出的。
2.根據權利要求1所述的陶瓷電路基板，其中，溢出部的厚度為8～30μm，長度為40μm～150μm。
3.根據權利要求1或2所述的陶瓷電路基板，其中，陶瓷基板選自氮化硅、氮化鋁、氧化鋁、氧化鋯、碳化硅及硼化鑭。
4.根據權利要求1或2所述的陶瓷電路基板，其中，電路圖案包含銅。
5.根據權利要求3所述的陶瓷電路基板，其中，電路圖案包含銅。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的陶瓷電路基板的制造方法，
其具有在陶瓷基板的兩主面使用釬料接合銅板的工序，
釬料含有85.0～95.0質量份的Ag、5.0～13.0質量份的Cu、0.4～2.0質量份的Sn或In，以及相對于Ag、Cu及Sn或In的合計100質量份為1.5～5.0質量份的Ti，
在真空中或者非活性氣氛中，在接合溫度為770℃～900℃、保持時間為10～60分鐘下進行接合。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，釬料使用Ag粉末、Cu粉末、及Sn粉末或In粉末而成，Ag粉末的比表面積為0.1～0.6m2/g。
8.根據權利要求7所述的制造方法，其中，Cu粉末的表面積為0.1～1.0m2/g，且平均粒徑D50為0.8～8.0μm。
9.根據權利要求7或8所述的制造方法，其中，Sn粉末或In粉末的比表面積為0.1～1.0m2/g，且平均粒徑D50為0.8～10.0μm。
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