[發明專利]層疊型元件的制造方法

在審

• 申請號: 201880048563.4
• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN110945628A
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 坂本剛志;杉浦隆二;近藤裕太;內山直己
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;B23K26/53
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

層疊工序具有：將第2晶圓的電路層接合于第1晶圓的電路層的第1接合工序；研磨所述第2晶圓的半導體基板的研磨工序；及將所述第3晶圓的電路層接合于所述第2晶圓的所述半導體基板的第2接合工序。在激光照射工序中，通過對于所述第1晶圓的半導體基板照射激光來形成改質區域，并且沿著層疊體的層疊方向使龜裂從所述改質區域伸展。

技術領域

本發明的一方面涉及一種層疊型元件的制造方法。

背景技術

在專利文獻1中記載有切斷半導體晶圓的方法。在該方法中，在半導體晶圓被吸附保持于工作盤(chuck table)的狀態下，一邊使工作盤往復移動，一邊使高速旋轉的切削刀片下降，切削半導體晶圓的跡道(street)。半導體晶圓通過對所有跡道進行上述的切削而被劃片，分割成各個半導體芯片。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2006-013312號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

然而，目前例如在DRAM(動態隨機存儲器，Dynamic Random Access Memory)這樣的半導體存儲器的領域中，正在進行層疊多個元件而構成的層疊型元件的開發，并期待實現層疊型元件的薄化及產量的提升。

因此，本發明的一方面的目的在于提供一種可以兼顧層疊型元件的薄化及產量的提升的層疊型元件的制造方法。

用于解決技術問題的手段

本發明者為了解決上述技術問題而重復專門的研究，其結果取得以下的見解。即，切斷半導體晶圓的層疊體時，對于構成層疊體的半導體晶圓的基板部分照射激光，形成改質區域，并且使龜裂從該改質區域伸展，由此可以抑制在半導體晶圓的接合界面的碎屑(chipping)并且切斷層疊體。本發明的一方面是基于這樣的見解而成的。

即，本發明的一方面的層疊型元件的制造方法具備：層疊工序，構成半導體晶圓的層疊體，該半導體晶圓的層疊體具備：具有表面及背面的半導體基板、及包含沿著表面二維狀排列的多個功能元件的電路層；及激光照射工序，在層疊工序之后，對層疊體照射激光，由此在層疊體形成改質區域及龜裂，層疊工序具有：第1接合工序，準備第1晶圓及第2晶圓作為半導體晶圓，并且以第1晶圓的各個功能元件與第2晶圓的各個功能元件相互對應的方式，將第2晶圓的電路層接合于第1晶圓的電路層；研磨工序，在第1接合工序之后，研磨第2晶圓的半導體基板；及第2接合工序，在研磨工序之后，準備第3晶圓作為半導體晶圓，并且以第2晶圓的各個功能元件與第3晶圓的各個功能元件相互對應的方式，將第3晶圓的電路層接合于第2晶圓的半導體基板，在激光照射工序中，對于第1晶圓的半導體基板，沿著被設定成通過功能元件之間的切斷預定線照射激光，由此，沿著切斷預定線形成改質區域，并且沿著層疊體的層疊方向使龜裂從改質區域伸展。

或者，本發明的一方面的層疊型元件的制造方法具備：層疊工序，構成半導體晶圓的層疊體，該半導體晶圓的層疊體具備：具有表面及背面的半導體基板、及包含沿著表面二維狀排列的多個功能元件的電路層；及激光照射工序，在層疊工序之后，對層疊體照射激光，由此在層疊體形成改質區域及龜裂，層疊工序具有：第1接合工序，準備第1晶圓及第2晶圓作為半導體晶圓，并且以第1晶圓的各個功能元件與第2晶圓的各個功能元件相互對應的方式，將第2晶圓的電路層接合于第1晶圓的半導體基板；研磨工序，在第1接合工序之后，研磨第2晶圓的半導體基板；及第2接合工序，在研磨工序之后，準備第3晶圓作為半導體晶圓，并且以第2晶圓的各個功能元件與第3晶圓的各個功能元件相互對應的方式，將第3晶圓的電路層接合于第2晶圓的半導體基板，在激光照射工序中，對于第3晶圓的半導體基板，沿著被設定成通過功能元件之間的切斷預定線照射激光，由此，沿著切斷預定線形成改質區域，并且沿著層疊體的層疊方向使龜裂從改質區域伸展。