[發明專利]層疊型元件的制造方法

在審

• 申請號: 201880048563.4
• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN110945628A
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 坂本剛志;杉浦隆二;近藤裕太;內山直己
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;B23K26/53
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

1.一種層疊型元件的制造方法，其中，

具備：

層疊工序，構成半導體晶圓的層疊體，所述半導體晶圓的層疊體具備：具有表面及背面的半導體基板、及包含沿著所述表面二維狀排列的多個功能元件的電路層；及

激光照射工序，在所述層疊工序之后，對所述層疊體照射激光，由此在所述層疊體形成改質區域及龜裂，

所述層疊工序具有：

第1接合工序，準備第1晶圓及第2晶圓作為所述半導體晶圓，并且以所述第1晶圓的各個所述功能元件與所述第2晶圓的各個所述功能元件相互對應的方式，將所述第2晶圓的所述電路層接合于所述第1晶圓的所述電路層；

研磨工序，在所述第1接合工序之后，研磨所述第2晶圓的所述半導體基板；及

第2接合工序，在所述研磨工序之后，準備第3晶圓作為所述半導體晶圓，并且以所述第2晶圓的各個所述功能元件與所述第3晶圓的各個所述功能元件相互對應的方式，將所述第3晶圓的所述電路層接合于所述第2晶圓的所述半導體基板，

在所述激光照射工序中，對于所述第1晶圓的所述半導體基板，沿著被設定成通過所述功能元件之間的切斷預定線照射所述激光，由此，沿著所述切斷預定線形成所述改質區域，并且沿著所述層疊體的層疊方向使所述龜裂從所述改質區域伸展。

2.一種層疊型元件的制造方法，其中，

具備：

層疊工序，構成半導體晶圓的層疊體，所述半導體晶圓的層疊體具備：具有表面及背面的半導體基板、及包含沿著所述表面二維狀排列的多個功能元件的電路層；及

激光照射工序，在所述層疊工序之后，對所述層疊體照射激光，由此在所述層疊體形成改質區域及龜裂，

所述層疊工序具有：

第1接合工序，準備第1晶圓及第2晶圓作為所述半導體晶圓，并且以所述第1晶圓的各個所述功能元件與所述第2晶圓的各個所述功能元件相互對應的方式，將所述第2晶圓的所述電路層接合于所述第1晶圓的所述半導體基板；

研磨工序，在所述第1接合工序之后，研磨所述第2晶圓的所述半導體基板；及

第2接合工序，在所述研磨工序之后，準備第3晶圓作為所述半導體晶圓，并且以所述第2晶圓的各個所述功能元件與所述第3晶圓的各個所述功能元件相互對應的方式，將所述第3晶圓的所述電路層接合于所述第2晶圓的所述半導體基板，

在所述激光照射工序中，對于所述第3晶圓的所述半導體基板，沿著被設定成通過所述功能元件之間的切斷預定線照射所述激光，由此，沿著所述切斷預定線形成所述改質區域，并且沿著所述層疊體的層疊方向使所述龜裂從所述改質區域伸展。

3.如權利要求2所述的層疊型元件的制造方法，其中，

所述層疊工序具有：在所述第1接合工序之前，準備支撐基板及所述第1晶圓，并且將所述第1晶圓的所述電路層接合于所述支撐基板的準備工序，

在所述第1接合工序中，準備所述第2晶圓及被接合于所述支撐基板的所述第1晶圓。

4.如權利要求3所述的層疊型元件的制造方法，其中，

還具備：在所述層疊工序之后，并且在所述激光照射工序之前或所述激光照射工序之后，去除所述支撐基板的支撐基板去除工序。

5.如權利要求1～4中任一項所述的層疊型元件的制造方法，其中，

在所述激光照射工序中，以所述龜裂到達所述層疊體的所述層疊方向的兩端的方式，形成所述改質區域。

6.如權利要求5所述的層疊型元件的制造方法，其中，

所述激光照射工序具有：

第1激光照射工序，對于所述半導體基板，從所述背面側照射所述激光而形成作為所述改質區域的第1改質區域；及

第2激光照射工序，對于所述半導體基板，從所述背面側照射所述激光而在所述第1改質區域與所述背面之間形成作為所述改質區域的第2改質區域，由此以到達所述兩端的方式使所述龜裂伸展。

7.如權利要求1～6中任一項所述的層疊型元件的制造方法，其中，

還具備：在所述激光照射工序之后，研磨形成有所述改質區域的所述半導體基板，由此去除所述改質區域的改質區域去除工序。

8.如權利要求1～7中任一項所述的層疊型元件的制造方法，其中，

還具備：在所述激光照射工序之后，對所述層疊體施加應力，由此，沿著所述切斷預定線切斷所述層疊體的切斷工序。