[發(fā)明專利]陶瓷生片制造用脫模膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880048329.1 | 申請日: | 2018-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN110997258B | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 柴田悠介;中谷充晴;重野健斗;松尾有加 | 申請(專利權(quán))人: | 東洋紡株式會社 |
| 主分類號: | B28B1/30 | 分類號: | B28B1/30;B32B7/022;B32B27/00;B32B27/36;H01G4/30;H01G13/00 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陶瓷 制造 脫模 | ||
[課題]提供:使陶瓷生片薄膜化的情況下也能兼顧良好的卷取性、和防止針孔、部分的厚度不均等的優(yōu)異的陶瓷生片制造用脫模膜。[解決方案]一種陶瓷生片制造用脫模膜,其以實質(zhì)上不含有無機顆粒的聚酯薄膜為基材,在前述基材的一個表面上具有脫模涂布層,通過前述脫模涂布層上的納米壓痕試驗,從前述脫模涂布層中的與前述基材相反側(cè)的表面測定的覆膜彈性模量為2.0GPa以上,且在前述基材的另一個表面上具有含有顆粒的易滑涂布層,前述易滑涂布層的區(qū)域表面平均粗糙度(Sa)為1nm以上且25nm以下,最大突起高度(P)為60nm以上且500nm以下,且輪廓單元的平均寬度(RSm)為10μm以下。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及陶瓷生片制造用脫模薄。更詳細而言,涉及:使陶瓷生片薄膜化的情況下也能均具備良好的卷取性、和防止針孔、部分的厚度不均等的陶瓷生片制造用脫模膜。
背景技術(shù)
以往,公開了如下技術(shù):通過使與基材薄膜的設有脫模涂布層的表面相反的表面(背面)的表面粗糙度為較粗,從而消除在陶瓷生片制造用脫模膜以被卷取的狀態(tài)保管時陶瓷生片制造用脫模膜的表面和背面粘附(粘連)等不良情況(例如參照專利文獻1)。然而,上述現(xiàn)有技術(shù)存在如下問題:由于突起較大,因此,產(chǎn)生針孔、部分的厚度不均。
因此,為了減小突起的高度,公開了如下技術(shù):在背面的突起填入涂布層,從而用于防止在陶瓷生片中發(fā)生針孔、部分的厚度不均(例如參照專利文獻2)。然而,根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù),雖然突起高度變低,但是突起密度低,因此,在對突起施加的壓力大而使陶瓷生片進一步薄膜化的情況下,有產(chǎn)生針孔的發(fā)生的問題。
現(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2003-203822號公報
專利文獻2:日本特開2014-144636號公報
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是以上述現(xiàn)有技術(shù)的課題為背景而作出的。即,本發(fā)明的目的在于,提供:使陶瓷生片薄膜化的情況下也能均具備良好的卷取性、和防止針孔、部分的厚度不均等的優(yōu)異的陶瓷生片制造用脫模膜。
本發(fā)明人為了達成上述目的而進行了深入研究,結(jié)果至此完成了本發(fā)明。即,本發(fā)明包含以下的構(gòu)成。
1.一種陶瓷生片制造用脫模膜,其以實質(zhì)上不含有無機顆粒的聚酯薄膜為基材,在前述基材的一個表面上具有脫模涂布層,通過前述脫模涂布層上的納米壓痕試驗,從前述脫模涂布層中的與前述基材相反側(cè)的表面測定的覆膜彈性模量為2.0GPa以上,且在前述基材的另一個表面上具有含有顆粒的易滑涂布層,前述易滑涂布層的區(qū)域表面平均粗糙度(Sa)為1nm以上且25nm以下、最大突起高度(P)為60nm以上且500nm以下、且輪廓單元的平均寬度(RSm,Mean width of the roughness profile elements)為10μm以下。
2.根據(jù)上述第1所述的陶瓷生片制造用脫模膜,其中,脫模涂布層的區(qū)域表面平均粗糙度(Sa)為5nm以下、且最大突起高度(P)為30nm以下。
3.根據(jù)上述第1或第2所述的陶瓷生片制造用脫模膜,其中,易滑涂布層的厚度為0.001μm以上且2μm以下。
4.一種陶瓷生片的制造方法,其使用上述第1~第3中任一項所述的陶瓷生片制造用脫模膜。
5.根據(jù)上述第4所述的陶瓷生片的制造方法,其中,要制造的陶瓷生片的厚度為0.2μm~2.0μm。
6.一種陶瓷電容器的制造方法,其采用上述第4或第5所述的陶瓷生片的制造方法。
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