[發明專利]電子裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201880047322.8 | 申請日: | 2018-07-09 |
| 公開(公告)號: | CN110914957A | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發明(設計)人: | 畦崎崇;鐮田潤;森本哲光;木下仁 | 申請(專利權)人: | 三井化學東賽璐株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;H01L23/00;H05K9/00 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;金鮮英 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 裝置 制造 方法 | ||
1.一種電子裝置的制造方法,其包括下述工序:
工序(A),準備結構體,所述結構體具備具有電路形成面的電子部件、以及粘著性層疊膜,所述粘著性層疊膜依次具有基材層、凹凸吸收性樹脂層和粘著性樹脂層,且所述粘著性樹脂層側粘貼于所述電子部件的所述電路形成面以保護所述電路形成面;
工序(B),在粘貼于所述粘著性層疊膜的狀態下,對于所述電子部件形成電磁波屏蔽層。
2.根據權利要求1所述的電子裝置的制造方法,其在所述工序(A)與所述工序(B)之間,進一步包括下述工序(C):
通過使所述凹凸吸收性樹脂層進行交聯,從而提高所述凹凸吸收性樹脂層的耐熱性。
3.根據權利要求1或2所述的電子裝置的制造方法,其在所述工序(B)之后,進一步包括下述工序(D):
將所述電子部件與所述粘著性層疊膜進行剝離。
4.根據權利要求3所述的電子裝置的制造方法,
在所述工序(D)中,使所述粘著性層疊膜中的粘貼有所述電子部件的區域在膜的面內方向上擴張,在使相鄰的所述電子部件間的間隔擴大的狀態下,從所述粘著性層疊膜剝離所述電子部件。
5.根據權利要求3或4所述的電子裝置的制造方法,
所述粘著性樹脂層包含放射線交聯型粘著劑,
所述電子裝置的制造方法在所述工序(D)之前,進一步包括下述工序(E):
對所述粘著性樹脂層照射放射線以使所述粘著性樹脂層進行交聯。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的電子裝置的制造方法,
所述電子部件的所述電路形成面包含凸塊電極。
7.根據權利要求6所述的電子裝置的制造方法,
將所述凸塊電極的高度設為H[μm],將所述凹凸吸收性樹脂層的厚度設為d[μm]時,H/d為0.01以上1以下。
8.根據權利要求1~7中任一項所述的電子裝置的制造方法,
所述凹凸吸收性樹脂層的厚度為10μm以上1000μm以下。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的電子裝置的制造方法,
在所述工序(B)中,使用選自濺射法、蒸鍍法、噴射涂布法、電鍍法和化學鍍法中的至少一種方法,對于所述電子部件形成所述電磁波屏蔽層。
10.根據權利要求1~9中任一項所述的電子裝置的制造方法,
在所述工序(B)中,至少對于所述電子部件中的與所述電路形成面對置的對置面和將所述電路形成面與所述對置面連接的側面,形成所述電磁波屏蔽層。
11.根據權利要求1~10中任一項所述的電子裝置的制造方法,
所述凹凸吸收性樹脂層包含交聯性樹脂。
12.根據權利要求1~11中任一項所述的電子裝置的制造方法,
構成所述基材層的樹脂包含選自由聚酯系彈性體、聚酰胺系彈性體、聚酰亞胺系彈性體、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚酰亞胺所組成的組中的一種或兩種以上。
13.根據權利要求1~12中任一項所述的電子裝置的制造方法,
構成所述粘著性樹脂層的粘著劑包含選自(甲基)丙烯酸系粘著劑、有機硅系粘著劑、氨基甲酸酯系粘著劑、烯烴系粘著劑和苯乙烯系粘著劑中的一種或兩種以上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





