[發明專利]缺陷預測有效
| 申請號: | 201880046240.1 | 申請日: | 2018-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN110869854B | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發明(設計)人: | 鐘玲莉;B·拉方丹;M·J·基亞;Y·尤迪斯蒂拉;M·P·F·格寧 | 申請(專利權)人: | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;傅遠 |
| 地址: | 荷蘭維*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 缺陷 預測 | ||
一種方法,包括獲得由器件制造過程產生的襯底上的多個圖案的特征驗證值;使用非概率模型獲得特征計算值;基于驗證值和計算值獲得非概率模型的殘差值;以及基于殘差值獲得殘差分布的屬性。本文還公開了計算由器件制造過程產生的襯底上的缺陷的概率的方法,以及獲得非概率模型殘差分布的屬性的方法。
本申請要求于2017年7月12日提交的US 62/531,702的優先權,并且其內容以整體引用并入本文。
技術領域
本文的描述涉及器件制造過程,諸如光刻過程,更具體地,涉及統計地預測由器件制造過程產生的襯底上的缺陷的方法。
背景技術
光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)或其他器件的制造中。在這樣的情況下,圖案設備(例如,掩模)可以包括或提供與設備的單個層相對應的圖案(“設計布局”),并且該圖案可以通過諸如通過圖案設備上的圖案照射目標部分的方法被轉移到已涂有一層輻射敏感材料(“抗蝕劑”)的襯底(例如,硅晶圓)上的目標部分(例如,包括一個或多個管芯)上。通常,單個襯底包括多個相鄰的目標部分,通過光刻裝置將圖案連續轉移到這些目標部分,一次一個目標部分。在一種光刻裝置中,整個圖案設備上的圖案被一次性轉移到一個目標部分上;這樣的裝置通常被稱為晶圓步進機。在通常稱為步進掃描裝置的備選的裝置中,投影光束在給定的參考方向(即“掃描”方向)上掃描圖案設備,同時同步地向平行或反平行于該參考方向移動襯底。圖案設備上的圖案的不同部分被逐步轉移到一個目標部分。
在將圖案從圖案設備轉移到器件制造過程的襯底上的器件制造流程之前,襯底會經歷器件制造過程的各種器件制造流程,諸如涂底、涂抗蝕劑和軟烘烤。在曝光后,襯底可以遭受器件制造過程中的其他器件制造流程,比如曝光后烘烤(PEB)、顯影和硬烘烤。器件制造流程的陣列被作為基礎來制造器件(例如,IC)的單個層。然后襯底會經歷器件制造過程的各種器件制造流程,比如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等,所有的這些流程旨在完成器件的單個層。如果器件中需要多個層,那么對每個層都重復整個過程或其變體。最終,在襯底上的每個目標部分都有一個器件。如果有多個器件,那么這些器件通過諸如切割或鋸切的技術彼此分離,因此單個器件可以安裝在載體上,連接到引腳等。
發明內容
本文公開了一種方法,包括:使用非概率模型獲得由器件制造過程產生的襯底上的多個圖案的特征的值;獲得非概率模型的殘差的分布的屬性;基于殘差的分布的屬性和圖案的特征的值確定特征的分布的屬性;以及基于特征的分布的屬性確定圖案是缺陷的概率。
根據一個實施例,殘差的分布的屬性是殘差的概率密度函數(PDF)。
根據一個實施例,殘差的分布的屬性是殘差的累積分布函數(CDF)。
根據一個實施例,殘差的分布的屬性表示殘差的分布的擴散。
根據一個實施例,殘差的分布的屬性是殘差的分布的方差或標準差。
根據一個實施例,該特征是從由以下各項構成的組中選擇的:相對于襯底的位置、相對于襯底上其他圖案的位置、幾何尺寸、幾何形狀、隨機效應的測量以及從中選擇的任何組合。
根據一個實施例,確定特征的分布的屬性包括將殘差的分布的屬性和特征的值相加。
根據一個實施例,特征的分布的屬性是特征的PDF。
根據一個實施例,確定概率包括將特征的PDF在特征的范圍內積分。
根據一個實施例,該方法進一步包括歸一化特征的分布的屬性。
根據一個實施例,確定特征的分布的屬性進一步基于圖案被視為缺陷的特征的范圍。
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