[發明專利]在具有寬系統接口的存儲器中的多電平信令

在審

• 申請號: 201880045340.2
• 申請日: 2018-07-23
• 公開（公告）號: CN110870013A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發明（設計）人: T·M·霍利斯;M·巴爾比;R·埃貝爾
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;G11C5/02;G11C5/04;G11C7/10
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本文中提供使用多電平信令以增加跨存儲器裝置中的較大數目個信道的數據傳輸速度的技術。此多電平信令可經配置以增加數據傳輸速度而不增加數據傳輸頻率及/或所傳達數據的發射功率。多電平信令方案的實例可為脈沖振幅調制PAM。多電平信號的各獨有符號可經配置以表示多個數據位。

交叉參考

本專利申請案主張由霍利斯(Hollis)等在于2017年12月26日申請的標題為“在具有寬系統接口的存儲器中的多電平信令(Multi-Level Signaling in Memory with WideSystem Interface)”的第15/854,600號美國專利申請案的優先權，所述申請案主張由霍利斯等人在2017年8月7日申請的標題為“在具有寬系統接口的存儲器中的多電平信令”的第62/542,160號美國臨時專利申請案的權益，所述申請案中的每一者以引用的方式明確并入本文中。

背景技術

下文大體上涉及使用存儲器裝置的多電平信令且更特定來說涉及在包含寬系統接口的存儲器裝置中的多電平信令。

存儲器裝置廣泛用于將信息存儲于各種電子裝置中，例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器及類似物。通過編程存儲器裝置的不同狀態來存儲信息。舉例來說，二進制裝置具有兩個狀態，其通常由邏輯“1”或邏輯“0”表示。在其它系統中，可存儲兩個以上狀態。為存取所存儲的信息，電子裝置的組件可讀取或感測存儲器裝置中的經存儲狀態。為存儲信息，電子裝置的組件可將狀態寫入或編程于存儲器裝置中。

存在多種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)等。存儲器裝置可為易失性或非易失性。非易失性存儲器(例如，FeRAM)可甚至在無外部電源的情況下維持其所存儲邏輯狀態達延長時段。易失性存儲器裝置(例如，DRAM)可隨時間丟失其所存儲狀態，除非其由外部電源周期性刷新。FeRAM可使用類似于易失性存儲器的裝置架構，但可歸因于使用鐵電電容器作為存儲裝置而具有非易失性質。因此，相較于其它非易失性及易失性存儲器裝置，FeRAM裝置可具有改進性能。

一般來說，改進存儲器裝置可包含增加存儲器單元密度、增加讀取/寫入速度、增加可靠性、增加數據保持、減小功率消耗或減小制造成本以及其它度量。

附圖說明

圖1說明根據本發明的實施例的支持具有寬系統接口的存儲器中的多電平信令的存儲器裝置的實例。

圖2說明根據本發明的實施例的支持具有寬系統接口的存儲器中的多電平信令的眼圖的實例。

圖3說明根據本發明的實施例的支持具有寬系統接口的存儲器中的多電平信令的發射電路的實例。

圖4說明根據本發明的實施例的支持具有寬系統接口的存儲器中的多電平信令的接收器的實例。

圖5說明根據本發明的實施例的支持具有寬系統接口的存儲器中的多電平信令的存儲器裝置的實例。

圖6展示根據本發明的實施例的支持具有寬系統接口的存儲器中的多電平信令的裝置的框圖。

圖7說明根據本發明的實施例的包含支持具有寬系統接口的存儲器中的多電平信令的存儲器控制器的系統的框圖。

圖8說明根據本發明的實施例的用于具有寬系統接口的存儲器中的多電平信令的方法。

具體實施方式