[發明專利]細粒度動態隨機存取存儲器

在審

• 申請號: 201880045249.0
• 申請日: 2018-05-18
• 公開（公告）號: CN110870011A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發明（設計）人: B·基思
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/4096
• 分類號: G11C11/4096;G11C5/06;G11C8/12
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發明描述與動態隨機存取存儲器DRAM相關的系統、設備及方法，所述DRAM是例如細粒度DRAM。舉例來說，可將存儲器裝置中的存儲器單元陣列分割成若干區。各區可包含多個存儲器單元庫。各區可與經配置以與主機裝置通信的數據通道相關聯。在一些實例中，所述陣列的各通道可包含兩個或多于兩個數據引腳。在各種實例中，每通道的數據引腳的比率可為二或四。其它實例可包含每通道八個數據引腳。

交叉參考

本專利申請案主張Keeth在2018年5月10日申請的標題為“細粒度動態隨機存取存儲器(Finer Grain Dynamic Random Access Memory)”的美國專利申請案第15/976,580號的優先權，所述美國專利申請案主張Keeth在2017年6月16日申請的標題為“細粒度動態隨機存取存儲器(Finer Grain Dynamic Random Access Memory)”的美國臨時專利申請案第62/521,044號的權益及優先權，所述專利申請案轉讓給本發明的受讓人，所述專利申請案的全文明確地以引用的方式并入本文中。

背景技術

以下內容大體上涉及操作存儲器陣列，且更特定地說，涉及細粒度動態隨機存取存儲器(DRAM)。

存儲器裝置廣泛地用于在例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等等的各種電子裝置中存儲信息。信息是通過編程存儲器裝置的不同狀態而進行存儲。舉例來說，二進制裝置具有兩個狀態，通常被表示為邏輯“1”或邏輯“0”。在其它系統中，可存儲多于兩個狀態。為存取所存儲的信息，電子裝置的組件可讀取或感測存儲器裝置中的所存儲狀態。為存儲信息，電子裝置的組件可寫入或編程存儲器裝置中的狀態。

存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤驅動器、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、DRAM、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)及其它者。存儲器裝置可為易失性的或非易失性的。

大體來說，改進存儲器裝置可包含增大存儲器單元密度、提高讀取/寫入速度、增強可靠性、延長數據保持、降低功率消耗，或縮減制造成本，以及其它度量。提高存儲器科技已實現對許多這些度量的改進，但高可靠性、低時延及/或低功率裝置傾向于價格昂貴，且可能難以縮放。隨著用于高可靠性、低時延、低功率存儲器的應用的數量增加，對于這些應用來說，對可縮放的、高效的且具成本效益的裝置的需求同樣增大。

附圖說明

圖1繪示支持根據本發明的實例的特征及操作的存儲器裸片的實例。

圖2繪示支持根據本發明的實例的特征及操作的裝置的實例。

圖3繪示支持根據本發明的實例的特征及操作的存儲器裸片的實例。

圖4繪示支持根據本發明的實例的特征及操作的存儲器裸片的實例。

圖5繪示支持根據本發明的實例的特征及操作的存儲器裸片的實例。

圖6繪示支持根據本發明的實例的特征及操作的存儲器裸片的實例。

圖7繪示支持根據本發明的實例的特征及操作的數據通道配置的實例。

圖8繪示支持根據本發明的實例的特征及操作的信號路徑路由的實例。

圖9繪示支持根據本發明的實例的特征及操作的系統的實例。

具體實施方式