[發明專利]細粒度動態隨機存取存儲器

在審

• 申請號: 201880045249.0
• 申請日: 2018-05-18
• 公開（公告）號: CN110870011A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發明（設計）人: B·基思
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/4096
• 分類號: G11C11/4096;G11C5/06;G11C8/12
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種存儲器裝置，其包括：

存儲器單元陣列，其具有各包括多個存儲器單元庫的多個區；及

多個通道，其橫穿所述存儲器單元陣列，其中所述通道中的各者與所述存儲器單元陣列的區耦合，且經配置以在所述區中的所述多個存儲器單元庫與主機裝置之間傳達信號。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其進一步包括：

輸入/輸出I/O區域，其橫越所述存儲器單元陣列延伸，所述I/O區域占據所述存儲器單元陣列的沒有存儲器單元的區域。

3.根據權利要求2所述的存儲器裝置，其中所述I/O區域包含經配置以將所述存儲器單元陣列與功率節點或接地節點耦合的硅穿孔TSV。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其進一步包括：

多個通道接口，其分布于所述存儲器單元陣列中。

5.根據權利要求4所述的存儲器裝置，其中所述多個通道接口為凸出部。

6.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其中所述多個通道接口的通道接口定位于所述存儲器單元陣列的各四分體中。

7.根據權利要求4所述的存儲器裝置，其進一步包括：

多個信號路徑，其在所述區的存儲器單元與關聯于所述區的通道接口之間延伸，其中所述通道接口定位于所述存儲器單元陣列中以最小化所述信號路徑的長度。

8.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其進一步包括：

第二存儲器單元陣列，其堆疊于所述存儲器單元陣列的頂部上，所述第二存儲器單元陣列具有各包括多個存儲器單元庫的區；及

第二多個通道，其橫穿所述第二存儲器單元陣列，其中所述第二多個通道的所述通道中的各者與所述第二存儲器單元陣列的第二區耦合，且經配置以在所述第二區中的所述多個存儲器單元庫與所述主機裝置之間傳達信號。

9.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中通道在所述區與所述主機裝置之間建立點對點連接。

10.一種存儲器裝置，其包括：

存儲器單元陣列，其具有各包括多個存儲器單元庫的區；

輸入/輸出I/O區域，其橫越所述存儲器單元陣列延伸，所述I/O區域包含經配置以將信號路由至所述存儲器單元陣列及從所述存儲器單元陣列路由信號的多個終端；及

多個通道，其定位于所述存儲器單元陣列的所述I/O區域中，其中所述通道中的各者與所述存儲器單元陣列的區耦合，且經配置以在所述區中的所述多個存儲器單元庫與主機裝置之間傳達信號。

11.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其進一步包括：

多個通道接口，其定位于所述存儲器單元陣列的所述I/O區域中，其中信號路徑將所述區與所述多個通道接口耦合。

12.根據權利要求11所述的存儲器裝置，其中所述I/O區域包含經配置以將堆疊于所述存儲器單元陣列的頂部上的第二存儲器單元陣列與通道接口耦合的硅穿孔TSV。

13.根據權利要求11所述的存儲器裝置，其中所述區的通道接口定位于將由所述通道接口服務的所述區平分的I/O區域內。

14.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述I/O區域包含經配置以將所述存儲器單元陣列與功率節點或接地節點耦合的硅穿孔TSV。

15.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述I/O區域占據所述存儲器單元陣列的沒有存儲器單元的區域。

16.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述存儲器單元陣列由兩個I/O區域或四個I/O區域平分。