[發明專利]保護件用環在審
| 申請號： | 201880045111.0 | 申請日： | 2018-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN110892510A | 公開（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發明（設計）人： | 碇敦;藤井智 | 申請（專利權）人： | 日本新工芯技株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 段承恩;王瀟悅 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 保護 件用環 | ||
1.一種保護件用環，是在用于對基板進行等離子體處理的基板處理裝置的收納所述基板的處理室內設置的保護件用環，其特征在于，
具備3個以上硅構件、以及將所述硅構件彼此接合的接合部，
所述接合部含有氧化硼。
2.根據權利要求1所述的保護件用環，其特征在于，
所述硅構件包含2個以上圓弧狀硅構件、以及在橫跨所述圓弧狀硅構件彼此的位置被嵌入的嵌入式硅構件，
在所述圓弧狀硅構件與所述嵌入式硅構件之間，設有將所述圓弧狀硅構件與所述嵌入式硅構件接合的所述接合部。
3.一種保護件用環，是在用于對基板進行等離子體處理的基板處理裝置的收納所述基板的處理室內設置的保護件用環，其特征在于，
具備3個以上硅構件、以及將所述硅構件彼此接合的接合部，
所述接合部是含有Al、Ga、Ge和Sn中的任一者的與硅的共晶合金，
所述硅構件包含2個以上圓弧狀硅構件、以及在橫跨所述圓弧狀硅構件彼此的位置被嵌入的嵌入式硅構件，
在所述圓弧狀硅構件與所述嵌入式硅構件之間，設有將所述圓弧狀硅構件與所述嵌入式硅構件接合的所述接合部。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的保護件用環，其特征在于，
設有將所述硅構件彼此之間堵塞的硅粘接部。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的保護件用環，其特征在于，
內徑為320mm以上，外徑為800mm以下。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的保護件用環，其特征在于，
所述硅構件由單晶硅或多晶硅構成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
