[發(fā)明專利]保護(hù)件用環(huán)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880045111.0
• 申請(qǐng)日: 2018-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN110892510A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 碇敦;藤井智
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本新工芯技株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 段承恩;王瀟悅

提供一種將多個(gè)硅構(gòu)件接合而成的保護(hù)件用環(huán)。在用于對(duì)基板進(jìn)行等離子體處理的基板處理裝置的收納所述基板的處理室內(nèi)設(shè)置的保護(hù)件用環(huán)(32)，其特征在于，具備3個(gè)以上硅構(gòu)件(34、36、38)、以及將所述硅構(gòu)件(34、36、38)彼此接合的接合部(39)，所述接合部(39)含有氧化硼。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及保護(hù)件用環(huán)。

背景技術(shù)

作為L(zhǎng)SI等半導(dǎo)體集成器件制造中的基板處理裝置，采用利用等離子體的干式蝕刻裝置。干式蝕刻裝置具有圓筒形狀的真空室。作為蝕刻對(duì)象的晶圓配置在平面電極的陰極上，在向真空室內(nèi)導(dǎo)入了蝕刻氣體的狀態(tài)下，通過高頻振蕩器向?qū)﹄姌O(陽(yáng)極)與陰極之間施加高頻電壓，由此在電極之間產(chǎn)生蝕刻氣體的等離子體。作為等離子體中的活性氣體的正離子入射晶圓表面進(jìn)行蝕刻。

在干式蝕刻裝置的真空室內(nèi)，使用各種環(huán)狀的構(gòu)件。作為代表性的環(huán)狀的構(gòu)件，有將作為蝕刻對(duì)象的晶圓包圍的圓環(huán)形狀的聚焦環(huán)、以將載置晶圓的圓柱狀的基座的側(cè)面覆蓋的方式配置的環(huán)狀的接地環(huán)。另外，還有在對(duì)電極的周緣部設(shè)置的環(huán)狀的屏蔽環(huán)、將真空室的內(nèi)壁側(cè)面覆蓋的側(cè)壁構(gòu)件等保護(hù)件(專利文獻(xiàn)1)。

在干式蝕刻裝置的真空室內(nèi)部，如果使用金屬制構(gòu)件則會(huì)發(fā)生金屬污染，因此優(yōu)選使用硅制構(gòu)件。聚焦環(huán)、接地環(huán)、環(huán)狀的保護(hù)件，其直徑需要比作為蝕刻對(duì)象的晶圓大。目前主流的300mm晶圓用的硅制構(gòu)件是由直徑為320mm以上的硅晶錠制作的，因此價(jià)格昂貴。特別是環(huán)狀的側(cè)壁構(gòu)件，直徑會(huì)達(dá)到700mm以上，有時(shí)實(shí)際上無法由硅晶錠制作。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2008-251744號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

硅制構(gòu)件如果不是一體物，而是能夠通過將多個(gè)硅構(gòu)件接合而制造的話，則能夠由直徑較小的硅晶錠制作，因此可期待制造成本的削減等各種優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明的目的是提供將多個(gè)硅構(gòu)件接合而成的保護(hù)件用環(huán)。

本發(fā)明涉及的保護(hù)件用環(huán)，是在用于對(duì)基板進(jìn)行等離子體處理的基板處理裝置的收納所述基板的處理室內(nèi)設(shè)置的保護(hù)件用環(huán)，其特征在于，具備3個(gè)以上硅構(gòu)件、以及將所述硅構(gòu)件彼此接合的接合部，所述接合部含有氧化硼。

本發(fā)明涉及的保護(hù)件用環(huán)，是在用于對(duì)基板進(jìn)行等離子體處理的基板處理裝置的收納所述基板的處理室內(nèi)設(shè)置的保護(hù)件用環(huán)，其特征在于，具備3個(gè)以上硅構(gòu)件、以及將所述硅構(gòu)件彼此接合的接合部，所述接合部是含有Al、Ga、Ge和Sn中的任一者的與硅的共晶合金，所述硅構(gòu)件包含2個(gè)以上圓弧狀硅構(gòu)件、以及在橫跨所述圓弧狀硅構(gòu)件彼此的位置被嵌入的嵌入式硅構(gòu)件，在所述圓弧狀硅構(gòu)件與所述嵌入式硅構(gòu)件之間，設(shè)有將所述圓弧狀硅構(gòu)件與所述嵌入式硅構(gòu)件接合的所述接合部。

根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)谋缺Ｗo(hù)件用環(huán)的外徑小的硅晶錠切取的多個(gè)硅構(gòu)件組合來制造保護(hù)件用環(huán)。因此，保護(hù)件用環(huán)不需要使用比保護(hù)件用環(huán)的外徑大的硅晶錠，從而能夠相應(yīng)地降低成本。

附圖說明

圖1是示意性地表示具備由第1實(shí)施方式涉及的保護(hù)件用環(huán)制作出的硅制零件的干式蝕刻裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖2是表示第1實(shí)施方式涉及的保護(hù)件用環(huán)的立體圖。

圖3是表示第1實(shí)施方式涉及的對(duì)接面的截面圖。

圖4是示意性地表示制造保護(hù)件用環(huán)的裝置的截面圖。

圖5是表示第1實(shí)施方式的變形例的截面圖。

圖6是表示第2實(shí)施方式涉及的保護(hù)件用環(huán)的立體圖。

圖7是表示第2實(shí)施方式涉及的對(duì)接面的截面圖，圖7A是第1環(huán)體的對(duì)接面，圖7B是第2環(huán)體的對(duì)接面。

圖8是表示第2實(shí)施方式的變形例的截面圖，圖8A是變形例(1)，圖8B是變形例(2)。