[發明專利]DQS偏移和READ-RTT-OFF邊緣控制有效
| 申請號: | 201880043264.1 | 申請日: | 2018-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN110832585B | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發明(設計)人: | K·馬組德爾 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G11C7/10 | 分類號: | G11C7/10;G11C7/22 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | dqs 偏移 read rtt off 邊緣 控制 | ||
1.一種半導體裝置,其包括:
命令接口,其被配置成接收針對讀取操作的讀取命令和在所述讀取操作期間撤銷斷言針對數據引腳DQ的裸片上終止ODT的命令;
輸入,其被配置成接收對應于所述命令的上升邊沿在向后方向上相對于所述DQ上的信號的移位數目的移位模式寄存器值的指示,其中所述向后方向是指更早的時間點;
延遲鏈,其被配置成使所述所接收的命令延遲達所述向后方向上的所述移位數目以產生經移位上升邊沿命令信號;和
組合電路,其使下降邊沿命令信號與所述經移位上升邊沿命令信號組合以形成經變換命令。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其包括額外輸入,所述額外輸入被配置成接收對應于所述命令的下降邊沿在向前方向上的移位數目的額外移位模式寄存器值的指示,其中所述向前方向是指更晚的時間點,其中所述延遲鏈被配置成使所述所接收的命令延遲達所述向前方向上的所述移位數目。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置,其包括:
第三輸入,其被配置成接收對應于針對數據選通引腳DQS的ODT命令的上升邊沿在所述向后方向上相對于所述DQS的信號的移位數目的第三移位模式寄存器值的指示;和
第四輸入,其被配置成接收對應于針對所述數據選通引腳DQS的所述ODT命令的下降邊沿在所述向前方向上的移位數目的第四移位模式寄存器值的指示。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置,其包括DQS偏移輸入,所述DQS偏移輸入被配置成接收用以使所述ODT命令相對于所述命令移位的DQS偏移的指示。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中針對所述DQS的所述ODT命令的所述上升邊沿的移位包括所述第三移位模式寄存器值和所述DQS偏移的組合。
6.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中針對所述DQS的所述ODT命令的所述下降邊沿的移位包括所述第四移位模式寄存器值和所述DQS偏移的組合。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置,其中所述ODT的所述下降邊沿的所述移位包括基于大于所述讀取操作的讀取前導的默認長度的所述讀取前導的長度的時鐘循環的額外移位。
8.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中所述DQS偏移使DQS ODT命令在所述向前方向或所述向后方向上相對于所述命令移位。
9.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中限制所述所接收的命令的最大移位數目以防止在時間上與讀取操作相鄰的操作中撤銷斷言ODT。
10.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中所述組合電路包括OR門。
11.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中所述延遲鏈被配置成產生相對于默認命令的多個向后經移位命令,其中所述默認命令包括未經移位命令,所述未經移位命令通過所述延遲鏈延遲達所述向后方向上的最大可能移位數目,以致使所述向后經移位命令在所述延遲鏈中延遲較少時間。
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