[發明專利]DQS偏移和READ-RTT-OFF邊緣控制

有效

• 申請號: 201880043264.1
• 申請日: 2018-04-23
• 公開（公告）號: CN110832585B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: K·馬組德爾
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C7/22
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

裝置、系統和方法包含用于裸片上終止ODT和數據選通信號的控制。舉例來說，在讀取操作期間撤銷斷言針對數據引腳DQ的ODT的命令。例如模式寄存器的輸入接收對應于所述命令的上升邊沿在向后方向上或下降邊沿在向前方向上的移位數目的移位模式寄存器值的指示。延遲鏈使接收的命令的適當邊沿延遲達對應方向上的移位數目以產生經移位邊沿命令信號。組合電路接著使下降邊沿命令信號與經移位上升邊沿命令信號組合以形成經變換命令。

技術領域

本公開的實施例大體涉及半導體裝置領域。更具體地，本公開的實施例涉及動態裸片上終止(on-die termination，ODT)。

背景技術

例如微計算機、存儲器、門陣列等半導體裝置可采用裸片上終止(ODT)。啟動ODT可干擾一些操作(例如，存儲器讀取)但可增強其它操作(例如，存儲器寫入)。因此，可使用基于多種因素斷言/撤銷斷言的信號RTT(例如，RTT_WR)動態地撤銷啟動/啟動ODT。舉例來說，RTT可包含以下四種類型中的一種：1)RTT-PARK，其為不基于命令的類型，在模式寄存器中在任何時間啟用，2)動態RTT，其在寫入命令上發生，3)WR-Nominal-RTT，其在非目標寫入命令上發生，和4)RD-Nominal-RTT，其在非目標讀取命令上發生。所有這些模式可在數據引腳(DQ)處產生ODT。對于讀取操作，可在讀取突發期間停用所有這些類型的RTT以防止在DQ處引起沖突。在一些實施例中，可存在確定何種類型的RTT始終和/或在某些條件下優先的優先級列表。舉例來說，在一些實施例中，RTT-PARK可具有最低優先級，而RTT-OFF(停用ODT)在讀取期間具有最高優先級。

在存儲器裝置的一些實施例中，可撤銷斷言RTT信號以產生基于cas寫入時延(CWL)、cas時延(CL)、數據突發長度、寫入前導和/或與時延無關的動態非ODT窗。CL是列存取選通時延，其為介于當存儲器控制器告知存儲器模塊存取特定存儲器列時與當給定陣列位置中的數據可用時之間的延遲時間。此外，CL是從當斷言讀取命令時到當在數個時鐘循環中讀取第一數據時的時間段。然而，此時序可非常固定以防止動態RTT窗在可不利地受RTT處在作用中影響的其它操作(例如，讀取操作)期間處于作用中。

本公開的實施例可針對于上文所闡述的一或多個問題。

附圖說明

圖1是根據本公開的實施例的說明存儲器裝置的某些特征的簡化框圖；

圖2說明根據本公開的實施例的指示非ODT窗和時鐘信號之間的關系的時序圖；

圖3說明根據本公開的實施例的時序圖，其包含用于DQ和DQS的單獨非ODT脈沖以使得DQ和/或DQS信號能夠彼此獨立地移位；

圖4是根據本公開的實施例的時序圖，其說明DQS信號和DQS RTT-OFF信號的上升邊沿的向后移位和DQS信號和DQS RTT-OFF信號的下降邊沿的向前移位；

圖5是根據本公開的實施例的說明圖3的DQ RTT-OFF信號的向后移位的時序圖；

圖6說明根據本公開的實施例的可用于確定在跟蹤傳入命令的移位時使用的命令的索引值的時序圖；

圖7說明根據本公開的實施例的延遲鏈的框圖；

圖8說明根據一實施例的用以使用復用器選擇移位命令的選擇電路的框圖，所述復用器選擇在圖7的延遲鏈中產生的多個命令中的一個；

圖9說明根據一實施例的圖5的DQ RTT-OFF信號的組合的時序圖；

圖10說明根據一實施例的可用于使圖4的DQ RTT-OFF信號移位的DQ RTT移位電路的示意圖；

圖11說明根據一實施例的圖10的DQ RTT移位電路的更詳細示意圖；

圖12說明根據一實施例的具有DQS偏移補償的DQS RTT-OFF移位電路的示意圖；