[發明專利]彈性波裝置、分波器以及通信裝置

有效

• 申請號: 201880041666.8
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN110771039B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發明（設計）人: 伊藤干;岸野哲也
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王暉

彈性波裝置具有：基板(3)、位于所述基板(3)上的多層膜(5)、位于所述多層膜(5)上且由LiTaOsubgt;3/subgt;構成的單晶的LT層(7)、以及位于所述LT層(7)上的IDT電極(19)。所述多層膜(5)中，從將具有比所述LT層(7)的橫波聲速高的聲速的膜的密度與厚度相乘的值的合計值，減去將具有比所述LT層(7)的橫波聲速慢的聲速的膜的密度與厚度相乘的值的合計值而得到的差值D為負，在將所述IDT電極(19)的電極指的間距設為p時，所述LT層(7)的厚度小于2p。

技術領域

本公開涉及利用彈性波的電子部件即彈性波裝置、包含該彈性波裝置的分波器以及通信裝置。

背景技術

已知一種彈性波裝置，對壓電體上的IDT(interdigital?transducer：叉指換能器)電極施加電壓，從而產生在壓電體中傳播的彈性波。IDT電極具有一對梳齒電極。一對梳齒電極分別具有多個電極指(相當于梳子的齒)，被配置為相互嚙合。在彈性波裝置中，形成將電極指的間距的2倍作為波長的彈性波的駐波，該駐波的頻率成為諧振頻率。因此，彈性波裝置的諧振點由電極指的間距進行規定。

國際公開第2012/086639號中作為彈性波裝置提出了如下方案，其具有：基板、位于基板上的高聲速膜和多層膜、位于高聲速膜上的低聲速膜、位于低聲速膜上的壓電體層、以及位于壓電體層上的IDT電極。根據該彈性波裝置，通過配置多層膜從而能夠將彈性波限獲于壓電體膜，因此能夠實現較高的Q值。

發明內容

期望提供Q值較高的彈性波裝置、分波器以及通信裝置。

本公開的一方式所涉及的彈性波裝置具有：基板、位于所述基板上的多層膜、位于所述多層膜上且包含LiTaO₃的單晶的LT層、以及位于所述LT層上的IDT電極。并且，所述多層膜中，從將具有比所述LT層的橫波聲速高的聲速的膜的密度與厚度相乘的值的合計值，減去將具有比所述LT層的橫波聲速慢的聲速的膜的密度與厚度相乘的值的合計值而得到的差值為負。再有，在將所述IDT電極的電極指的間距設為p時，所述LT層的厚度小于2p。

本公開的一方式所涉及的分波器具有：天線端子、對輸出至所述天線端子的信號進行濾波的發送濾波器、對從所述天線端子輸入的信號進行濾波的接收濾波器，所述發送濾波器以及所述接收濾波器的至少一方包含上述彈性波裝置。

本公開的一方式所涉及的通信裝置具有：天線、所述天線端子被連接于所述天線的上述分波器、以及相對于所述發送濾波器以及所述接收濾波器在信號路徑上被連接于與所述天線端子相反的一側的IC。

根據上述結構，能夠提供Q值高的彈性波元件。

附圖說明

圖1是表示實施方式所涉及的彈性波裝置的俯視圖。

圖2是圖1的彈性波裝置的II-II線處的剖視圖。

圖3的(a)、圖3的(b)以及圖3的(c)是分別表示基板結構的模擬結果的圖。

圖4是表示基板結構的模擬結果的圖。

圖5是表示基板結構的頻率特性的圖表。

圖6是表示比較例所涉及的彈性波裝置的頻率特性的圖表。

圖7的(a)、圖7的(b)以及圖7的(c)是分別表示基板結構與比較例所涉及的彈性波裝置的相位特性的圖表。

圖8的(a)、圖8的(b)以及圖8的(c)是表示模型1～模型3的固定基板的結構的示意性剖視圖。

圖9是表示模型1的模擬結果的圖。

圖10是表示模型2的模擬結果的圖。

圖11是表示模型3的模擬結果的圖。