[發明專利]彈性波裝置、分波器以及通信裝置

有效

• 申請號: 201880041666.8
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN110771039B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發明（設計）人: 伊藤干;岸野哲也
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王暉

1.一種彈性波裝置，其具有：

基板；

多層膜，位于所述基板上；

LT層，位于所述多層膜上，且由LiTaO₃的單晶構成；和

IDT電極，位于所述LT層上，

所述多層膜中，從將具有比所述LT層的橫波聲速高的聲速的膜的密度與厚度相乘的值的合計值，減去將具有比所述LT層的橫波聲速慢的聲速的膜的密度與厚度相乘的值的合計值而得到差值為負，

在將所述IDT電極的電極指的間距設為p時，所述LT層的厚度小于2p。

2.根據權利要求1所述的彈性波裝置，其中，

所述LT層與所述多層膜的厚度的合計小于p。

3.根據權利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

所述LT層的厚度為0.6p以上且小于0.8p。

4.根據權利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

所述基板具有比所述LT層的橫波聲速高的聲速。

5.根據權利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

所述多層膜從所述LT層側起依次存在聲速比所述LT層慢的第1低聲速膜、和具有所述LT層與第1低聲速膜之間的聲速的第2低聲速膜。

6.根據權利要求5所述的彈性波裝置，其中，

所述第1低聲速膜包含Ta₂O₅，所述第2低聲速膜包含SiO₂，

所述差值為-366kg·p/cm³以上且-216kg·p/cm³以下。

7.根據權利要求6所述的彈性波裝置，其中，

所述LT層的厚度為0.74p±0.09p，所述第1低聲速膜的厚度為0.029p±0.008p，所述第2低聲速膜的厚度為0.028p±0.012p。

8.根據權利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

所述多層膜從所述LT層側起依次存在聲速比所述LT層慢的第1低聲速膜、和具有比所述第1低聲速膜慢的聲速的第2低聲速膜。

9.根據權利要求8所述的彈性波裝置，其中，

所述第1低聲速膜包含SiO₂，所述第2低聲速膜包含Ta₂O₅，

所述差值為-417kg·p/cm³以上且-197kg·p/cm³以下。

10.根據權利要求9所述的彈性波裝置，其中，

所述LT層的厚度為0.67p±0.06p，所述第1低聲速膜的厚度為0.068p±0.014p，所述第2低聲速膜的厚度為0.039p±0.009p。

11.根據權利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

所述多層膜從所述LT層側起依次存在聲速比所述LT層快的第1高聲速膜、聲速比所述LT層慢的第1低聲速膜。

12.根據權利要求11所述的彈性波裝置，其中，

所述第1高聲速膜包含Si₃N₄，所述第1低聲速膜包含Ta₂O₅，

所述差值為-732kg·p/cm³以上且-521kg·p/cm³以下。

13.根據權利要求12所述的彈性波裝置，其中，

所述LT層的厚度為0.65p±0.15p，所述第1高聲速膜的厚度為0.052p±0.013p，所述第1低聲速膜的厚度為0.1p±0.011p。