[發(fā)明專利]使用倍頻干涉光刻的線柵偏振器制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880038858.3 | 申請日： | 2018-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN110770614A | 公開（公告）日： | 2020-02-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 建峰·陳;克里斯托弗·丹尼斯·本徹;D·馬克萊 | 申請（專利權(quán)）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | G02B5/30 | 分類號： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 11006 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 徐金國;趙靜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光刻膠圖案 光刻膠層 襯底 涂覆 顯影 顯示器 曝光系統(tǒng) 柵偏振器 圖案化 增大的 制造線 倍頻 沉積 精細 制造 | ||
1.一種線柵偏振器制造方法，包括：
將光刻膠層沉積在涂覆鋁的顯示器襯底之上；
使用Markle-Dyson系統(tǒng)通過雙重顯影將所述光刻膠層圖案化以形成光刻膠圖案；以及
將所述光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到所述涂覆鋁的顯示器襯底中。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光刻膠圖案包括高光曝光強度部分、中光曝光強度部分和低光曝光強度部分，并且其中所述雙重顯影還包括：
使用第一顯影溶液去除所述高光曝光強度部分；以及
使用第二顯影溶液去除所述低光曝光強度部分。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到所述涂覆鋁的顯示器襯底中包括蝕刻所述涂覆鋁的顯示器襯底。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括：
在將所述光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到所述涂覆鋁的顯示器襯底中之后，去除任何剩余的光刻膠層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光刻膠層包括酚醛樹脂和重氮萘醌。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光刻膠層包括正性作用酚醛樹脂和重氮萘醌光刻膠與負性作用聚乙烯醇縮醛聚合物水溶性光活性化合物的混合物。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光刻膠層包括與具有可由負性光刻膠顯影劑顯影的光活性化合物添加劑的負性作用光刻膠材料共混的正性光刻膠材料。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光刻膠圖案由具有單一間距的線柵組成。
9.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述單一間距小于或等于約200納米。
10.一種線柵偏振器制造方法，包括：
將底部抗反射涂覆層沉積在涂覆鋁的顯示器襯底之上；
將光刻膠層沉積在所述涂覆鋁的顯示器襯底之上；
使用Markle-Dyson系統(tǒng)通過雙重顯影將所述光刻膠層圖案化以形成光刻膠圖案；
將所述光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到所述涂覆鋁的顯示器襯底中；以及
將任何剩余的光刻膠從所述涂覆鋁的顯示器襯底去除。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述光刻膠圖案包括高光曝光強度部分、中光曝光強度部分和低光曝光強度部分，并且其中所述雙重顯影還包括：
使用第一顯影溶液去除所述高光曝光強度部分；以及
使用第二顯影溶液去除所述低光曝光強度部分。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述光刻膠圖案由具有小于或等于約200納米的單一間距的線柵組成。
13.一種線柵偏振器制造方法，包括：
將光刻膠層沉積在涂覆鋁的顯示器襯底之上；
使用Markle-Dyson系統(tǒng)通過雙重顯影將所述光刻膠層圖案化以形成光刻膠圖案，其中所述光刻膠圖案包括高光曝光強度部分、中光曝光強度部分和低光曝光強度部分，并且其中所述雙重顯影還包括：
使用第一顯影溶液去除所述高光曝光強度部分；以及
使用第二顯影溶液去除所述低光曝光強度部分；
將所述光刻膠圖案蝕刻到所述涂覆鋁的顯示器襯底中；以及
將任何剩余的光刻膠從所述涂覆鋁的顯示器襯底去除。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述Markle-Dyson系統(tǒng)包括主鏡、耦接到所述主鏡的正透鏡以及耦接到所述正透鏡的掩模版。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中蝕刻的所述光刻膠圖案包括具有小于或等于約100納米的單一不變間距的細鋁線柵。
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