[發明專利]諧振器以及諧振裝置

有效

• 申請號: 201880037723.5
• 申請日: 2018-02-26
• 公開（公告）號: CN110741550B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 河合良太;維萊·卡亞卡里
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H3/04
• 分類號: H03H3/04;H03H9/17;H03H9/205;H03H9/21
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 金雪梅;王秀輝

本發明提供更簡便且高精度的頻率調整方法。是具備具有根據施加給電極的電壓進行振動的振動部的諧振器的諧振裝置的制造方法，包含：在振動部中的與其它的區域相比由振動引起的位移較大的區域形成由氧化鉬構成的調整膜的工序；以及通過激光除去調整膜中至少一部分來調整上述諧振器的頻率的工序。

技術領域

本發明涉及振動臂以面外的彎曲振動模式進行振動的諧振器以及諧振裝置。

背景技術

以往，使用了MEMS(Micro?Electro?Mechanical?Systems：微機電系統)技術的諧振裝置例如被用作定時設備。該諧振裝置安裝在設置于智能手機等電子設備內的印刷電路基板上。諧振裝置具備下側基板、在與下側基板之間形成腔室的上側基板、以及在下側基板以及上側基板之間配置在腔室內的諧振器。

在這樣的諧振器中，已知有在利用上蓋和下蓋密封諧振器之后從蓋的上方照射激光來調整頻率的技術。例如在專利文獻1公開了能夠最小限度地抑制對硅材料、其周邊的構成要素的損傷，并且使激光透過硅材料照射其前面的對象物的激光的照射方法、以及使用該方法的壓電振子的頻率調整方法。在專利文獻1所記載的方法中，通過使脈沖寬度為50～1000fs的脈沖激光照射電子部件的封裝的硅材料區域并透過、以及將透過的激光照射到壓電振子，來調整壓電振子的諧振頻率。

專利文獻1：國際公開第2011/043357號公報

在涉及使用MEMS技術的諧振裝置的技術領域中，需要更簡便且高精度的頻率調整方法，并存在進一步改善的余地。

發明內容

本發明是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于提供更簡便且高精度的頻率調整方法。

本發明的一側面所涉及的諧振裝置的制造方法包含：形成諧振器的工序，是形成具備具有根據施加給電極的電壓進行振動的壓電部的振動部的諧振器的工序，且包含在振動部中的與其它的區域相比由振動引起的位移較大的區域形成由鉬構成的基底膜的工序；使該鉬氧化在基底膜上形成由氧化鉬構成的多個斑點狀的調整膜的工序；以及通過激光除去多個斑點狀的調整膜中至少一部分來調整上述諧振器的頻率的工序。

根據本發明，能夠提供更簡便且高精度的頻率調整方法。

附圖說明

圖1是示意性地表示本發明的第一實施方式所涉及的諧振裝置的外觀的立體圖。

圖2是示意性地表示本發明的第一實施方式所涉及的諧振裝置的結構的分解立體圖。

圖3是取下上蓋后的本發明的第一實施方式所涉及的諧振器的俯視圖。

圖4是沿著圖3的AA’線的剖視圖。

圖5A是表示本發明的第一實施方式所涉及的諧振裝置的制造工藝的圖。

圖5B是表示本發明的第一實施方式所涉及的諧振裝置的制造工藝的圖。

圖5C是表示本發明的第一實施方式所涉及的諧振裝置的制造工藝的圖。

圖5D是表示本發明的第一實施方式所涉及的諧振裝置的制造工藝的圖。

圖5E是表示本發明的第一實施方式所涉及的諧振裝置的制造工藝的圖。

圖5F是表示本發明的第一實施方式所涉及的諧振裝置的制造工藝的圖。

圖5G是表示本發明的第一實施方式所涉及的諧振裝置的制造工藝的圖。

圖5H是表示本發明的第一實施方式所涉及的諧振裝置的制造工藝的圖。

圖5I是表示本發明的第一實施方式所涉及的諧振裝置的制造工藝的圖。

圖5J是表示本發明的第一實施方式所涉及的諧振裝置的制造工藝的圖。