[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880035669.0
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN110785852B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發(fā)明（設計）人: 田村隆博;小野沢勇一;高橋美咲;三塚要;尾崎大輔;兼武昭徳
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張欣;金玉蘭

本發(fā)明提供半導體裝置，其具有半導體基板，半導體基板具備二極管區(qū)、晶體管區(qū)和位于二極管區(qū)與晶體管區(qū)之間的邊界區(qū)，邊界區(qū)包括在半導體基板的正面?zhèn)鹊念A先確定的深度位置從與二極管區(qū)鄰接的端部起向晶體管區(qū)側延伸設置的缺陷區(qū)，且邊界區(qū)的至少一部分不具有在半導體基板的正面露出的第1導電型的發(fā)射區(qū)，晶體管區(qū)在夾在相鄰的2個溝槽部之間且具有發(fā)射區(qū)的臺面部中的最靠近邊界區(qū)的臺面部的下方不具有缺陷區(qū)。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體裝置。

背景技術

已知有在1個半導體基板具有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極型晶體管)部和FWD(Free Wheeling Diode：續(xù)流二極管)部的RC-IGBT(ReverseConducting-IGBT：反向導通IGBT)。以往，已知有在IGBT部與FWD部之間不設置N+型發(fā)射區(qū)和P+型的接觸區(qū)的結構(例如參照專利文獻1)。另外，已知使設置于半導體基板的正面?zhèn)鹊娜毕輩^(qū)從IGBT區(qū)與二極管區(qū)的邊界向IGBT區(qū)側突出的技術(例如參照專利文獻2～4)。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2016/080269號

專利文獻2：日本特開2012-43891號公報

專利文獻3：日本特開2017-41601號公報

專利文獻4：國際公開第2017/047285號

發(fā)明內容

技術問題

在RC-IGBT中，期望降低FWD區(qū)的導通損耗。

技術方案

在本發(fā)明的第1方式中提供半導體裝置。半導體裝置可以具有半導體基板。半導體基板可以具備二極管區(qū)、晶體管區(qū)和邊界區(qū)。邊界區(qū)可以位于二極管區(qū)與晶體管區(qū)之間。邊界區(qū)可以包含缺陷區(qū)。缺陷區(qū)可以設置在半導體基板的正面?zhèn)鹊念A先確定的深度位置。缺陷區(qū)可以以從與二極管區(qū)鄰接的端部起向晶體管區(qū)側延伸的方式設置。邊界區(qū)的至少一部分可以不具有發(fā)射區(qū)。發(fā)射區(qū)可以是在半導體基板的正面露出的第1導電型的區(qū)域。缺陷區(qū)可以設置于半導體基板的正面?zhèn)鹊念A先確定的深度位置。缺陷區(qū)可以從與二極管區(qū)鄰接的端部設置到與晶體管區(qū)鄰接的端部。晶體管區(qū)在具有發(fā)射區(qū)的臺面部中的最靠近邊界區(qū)的臺面部的下方可以不具有缺陷區(qū)。臺面部可以是被相鄰的2個溝槽部所夾的部分。

邊界區(qū)中的、從邊界區(qū)的預先確定的位置到與晶體管區(qū)鄰接的端部為止的范圍中的1個以上的臺面部可以為第1臺面部。第1臺面部可以具備第2導電型的接觸區(qū)和第2導電型雜質的摻雜濃度比接觸區(qū)的第2導電型雜質的摻雜濃度低的基區(qū)。

邊界區(qū)中的、從邊界區(qū)的預先確定的位置到與二極管區(qū)鄰接的端部為止的范圍中的1個以上的臺面部可以為第2臺面部。第2臺面部可以是具有基區(qū)且不具有接觸區(qū)和發(fā)射區(qū)的第2臺面部。

邊界區(qū)可以具有2個以上的第1臺面部。在2個以上的第1臺面部中，靠近二極管區(qū)的第1臺面部的接觸區(qū)中的第2導電型雜質的摻雜濃度可以比靠近晶體管區(qū)的第1臺面部的接觸區(qū)中的第2導電型雜質的摻雜濃度低。

邊界區(qū)中的所有的臺面部可以為第2臺面部。第2臺面部可以不具有發(fā)射區(qū)和第2導電型的接觸區(qū)，且具有第2導電型雜質的摻雜濃度比接觸區(qū)的第2導電型雜質的摻雜濃度低的基區(qū)。

晶體管區(qū)中的、最靠近邊界區(qū)的臺面部可以為第2臺面部。第2臺面部可以不具有發(fā)射區(qū)和第2導電型的接觸區(qū)，且具有第2導電型雜質的摻雜濃度比接觸區(qū)的第2導電型雜質的摻雜濃度低的基區(qū)。