[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880035669.0
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN110785852B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田村隆博;小野沢勇一;高橋美咲;三塚要;尾崎大輔;兼武昭徳
• 申請（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 張欣;金玉蘭

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有半導(dǎo)體基板，

所述半導(dǎo)體基板具備：

二極管區(qū)；

晶體管區(qū)；以及

邊界區(qū)，其位于所述二極管區(qū)與所述晶體管區(qū)之間，

所述邊界區(qū)包括在所述半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)鹊念A(yù)先確定的深度位置處從與所述二極管區(qū)鄰接的端部起向所述晶體管區(qū)側(cè)延伸設(shè)置的缺陷區(qū)，且

所述邊界區(qū)的至少一部分不具有在所述半導(dǎo)體基板的正面露出的第1導(dǎo)電型的發(fā)射區(qū)，

所述晶體管區(qū)在夾在相鄰的2個(gè)溝槽部之間且具有所述發(fā)射區(qū)的所述臺(tái)面部中的最靠近所述邊界區(qū)的所述臺(tái)面部的下方不具有所述缺陷區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述邊界區(qū)中的、從所述邊界區(qū)的預(yù)先確定的位置起到與所述晶體管區(qū)鄰接的端部為止的范圍中的1個(gè)以上的臺(tái)面部是具有第2導(dǎo)電型的接觸區(qū)和基區(qū)的第1臺(tái)面部，所述基區(qū)的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的摻雜濃度比所述接觸區(qū)的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的摻雜濃度低。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述邊界區(qū)中的、從所述邊界區(qū)的預(yù)先確定的位置起到與所述二極管區(qū)鄰接的端部為止的范圍中的1個(gè)以上的所述臺(tái)面部是具有所述基區(qū)且不具有所述接觸區(qū)和所述發(fā)射區(qū)的第2臺(tái)面部。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述邊界區(qū)具有2個(gè)以上的第1臺(tái)面部，

在所述2個(gè)以上的第1臺(tái)面部中，靠近所述二極管區(qū)的所述第1臺(tái)面部的所述接觸區(qū)中的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的摻雜濃度比靠近所述晶體管區(qū)的所述第1臺(tái)面部的所述接觸區(qū)中的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的摻雜濃度低。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述邊界區(qū)中的所有的所述臺(tái)面部是不具備所述發(fā)射區(qū)和第2導(dǎo)電型的接觸區(qū)且具備基區(qū)的第2臺(tái)面部，所述基區(qū)的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的摻雜濃度比所述接觸區(qū)的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的摻雜濃度低。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述晶體管區(qū)中的、最靠近所述邊界區(qū)的所述臺(tái)面部是不具備所述發(fā)射區(qū)和第2導(dǎo)電型的接觸區(qū)且具備基區(qū)的第2臺(tái)面部，所述基區(qū)的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的摻雜濃度比所述接觸區(qū)的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的摻雜濃度低。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述邊界區(qū)具有1個(gè)以上的溝槽部，所述1個(gè)以上的溝槽部包括以與溝槽接觸的方式設(shè)置的絕緣膜和以與所述絕緣膜接觸的方式設(shè)置的導(dǎo)電部，

所述1個(gè)以上的溝槽部的各個(gè)所述導(dǎo)電部與設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的正面上的發(fā)射電極電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述二極管區(qū)中的所有的所述臺(tái)面部是不具備在所述半導(dǎo)體基板的正面露出的第2導(dǎo)電型的接觸區(qū)且具備第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的摻雜濃度比所述接觸區(qū)的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的摻雜濃度低的基區(qū)的第2臺(tái)面部。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述晶體管區(qū)與所述二極管區(qū)之間的長度即所述邊界區(qū)的寬度為10μm以上且100μm以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述邊界區(qū)具有4個(gè)以上且10個(gè)以下的所述臺(tái)面部。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述晶體管區(qū)和與所述晶體管區(qū)鄰接的所述邊界區(qū)的第1部分具有設(shè)置在位于所述發(fā)射區(qū)的下方的基區(qū)與所述溝槽部的底部之間的第1導(dǎo)電型的電荷蓄積區(qū)，

所述邊界區(qū)的除所述第1部分以外的第2部分不具有所述電荷蓄積區(qū)。