[發(fā)明專利]體聲波濾波器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880034665.0 | 申請日： | 2018-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN110785929B | 公開（公告）日： | 2023-10-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李源祥 | 申請（專利權(quán)）人： | RFHIC公司 |
| 主分類號： | H03H9/02 | 分類號： | H03H9/02;H03H9/15 |
| 代理公司： | 北京市立方律師事務(wù)所 11330 | 代理人： | 謝玉斌;周永佳 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 聲波 濾波器 | ||
1.一種體聲波(BAW)濾波器，所述體聲波濾波器包括：
金剛石基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波濾波器，還包括：
鈍化層，所述鈍化層形成在所述金剛石基板上；
第一金屬層，所述第一金屬層形成在所述鈍化層上；
壓電層，所述壓電層形成在所述第一金屬層上；
第二金屬層，所述第二金屬層形成在壓電層上；以及
金屬焊盤，所述金屬焊盤形成在所述第一金屬層上，
其中所述金屬焊盤、所述第一金屬層、所述壓電層和所述第二金屬層形成電路徑，所述電路徑允許一個頻率范圍內(nèi)的電信號通過。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的體聲波濾波器，還包括：
籽晶層，所述籽晶層設(shè)置在所述金剛石基板與所述鈍化層之間，所述籽晶層由金剛石粉末形成并被用于在其上生長所述金剛石基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波濾波器，其中，所述鈍化層由介電材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波濾波器，其中，所述壓電層由具有壓電效應(yīng)的材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波濾波器，其中，所述壓電層包括GaN、AlN和ZnO中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的體聲波濾波器，其中，所述第一金屬層、所述第二金屬層和所述金屬焊盤中的每一個由導(dǎo)電金屬形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波濾波器，其中，所述金剛石基板具有單晶結(jié)構(gòu)和多晶結(jié)構(gòu)中的至少一種。
9.一種制造體聲波濾波器的方法，所述方法包括：
形成壓電層；
在所述壓電層的第一表面上形成第一金屬層；
在所述第一金屬層上形成第一鈍化層；
在所述第一鈍化層上形成金剛石基板；
在所述壓電層的第二表面上形成第二金屬層；
去除所述壓電層的一部分以暴露所述第一金屬層的一部分；以及
在所述第一金屬層的暴露部分上形成金屬焊盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述形成金剛石基板的步驟包括：
在所述第一鈍化層上形成籽晶層；以及
在所述籽晶層上生長所述金剛石基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述籽晶層由金剛石粉末形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述形成壓電層的步驟包括：
在基板上形成所述壓電層；
在所述壓電層上形成第二鈍化層；并且
在所述第二鈍化層上形成偽晶片；以及
去除所述基板。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括：
在所述形成金剛石基板的步驟之后，去除所述偽晶片和所述第二鈍化層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述偽晶片由硅形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述壓電層包括GaN、AlN和ZnO中的至少一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第一金屬層、所述第二金屬層和所述金屬焊盤中的每一個均由導(dǎo)電金屬形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第一鈍化層包括多晶硅和氮化硅中的至少一個。
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