[發明專利]利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法在審
| 申請號： | 201880033794.8 | 申請日： | 2018-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN110651357A | 公開（公告）日： | 2020-01-03 |
| 發明（設計）人： | 李性中;金玟中;具滋鵬;權相民 | 申請（專利權）人： | 吉佳藍科技股份有限公司;株式會社韓國帕沃那 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 11243 北京銀龍知識產權代理有限公司 | 代理人： | 金鮮英;張敬強 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微圖案 金屬層 去除 等離子蝕刻工序 紫外線固化樹脂 壓印 固化 等離子蝕刻 涂布紫外線 玻璃基板 固化樹脂 傾斜蒸鍍 紫外線 母模 加壓 照射 側面 | ||
1.一種利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法，其特征在于，包括：
在玻璃基板上形成的金屬層的上面涂布紫外線固化樹脂，執行加壓微圖案母模的壓印工序，并在所述紫外線固化樹脂上形成微圖案之后照射紫外線，以固化所述微圖案的步驟；
對被固化的所述微圖案的一側面與上面執行傾斜蒸鍍工序，以形成微圖案強化部的步驟；
執行第一等離子蝕刻工序，以去除所述微圖案中因沒有形成所述微圖案強化部而以垂直方向露出的區域的紫外線固化樹脂的步驟；
執行第二等離子蝕刻工序，以去除所述金屬層中以垂直方向露出的區域的金屬層的步驟；以及
去除殘存于已去除所述以垂直方向露出的區域的金屬層的上部的微圖案及微圖案強化部的步驟。
2.根據權利要求1所述的利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法，其特征在于，
在所述形成微圖案強化部的步驟中，所述微圖案強化部由SiO2、TiO2、SiN或SiON形成。
3.一種利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法，其特征在于，包括：
在玻璃基板上形成的金屬層的上面涂布紫外線固化樹脂，執行加壓微圖案母模的壓印工序，并在所述紫外線固化樹脂上形成微圖案之后照射紫外線，以固化所述微圖案的步驟；
對被固化的所述微圖案的一側面與上面執行傾斜蒸鍍工序之后，對被固化的所述微圖案的另一側面與上面執行傾斜蒸鍍，以形成微圖案強化部的步驟；
執行第一等離子蝕刻工序，以去除所述微圖案中因沒有形成所述微圖案強化部而以垂直方向露出的區域的紫外線固化樹脂的步驟；
執行第二等離子蝕刻工序，以去除所述金屬層中因以垂直方向露出的區域的金屬層的步驟；以及
去除殘存于已去除所述以垂直方向露出的區域的金屬層的上部的微圖案及微圖案強化部的步驟。
4.根據權利要求3所述的利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法，其特征在于，
在所述形成微圖案強化部的步驟中，所述微圖案強化部由SiO2、TiO2、SiN或SiON形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
