[發(fā)明專利]利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880033794.8 | 申請日: | 2018-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN110651357A | 公開(公告)日: | 2020-01-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李性中;金玟中;具滋鵬;權(quán)相民 | 申請(專利權(quán))人: | 吉佳藍科技股份有限公司;株式會社韓國帕沃那 |
| 主分類號: | H01L21/3065 | 分類號: | H01L21/3065;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司: | 11243 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 金鮮英;張敬強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微圖案 金屬層 去除 等離子蝕刻工序 紫外線固化樹脂 壓印 固化 等離子蝕刻 涂布紫外線 玻璃基板 固化樹脂 傾斜蒸鍍 紫外線 母模 加壓 照射 側(cè)面 | ||
本發(fā)明提供一種利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法,其包括:在玻璃基板上形成的金屬層的上面涂布紫外線固化樹脂,執(zhí)行加壓微圖案母模的壓印工序,并在所述紫外線固化樹脂上形成微圖案之后照射紫外線,以固化所述微圖案的步驟;對被固化的所述微圖案的一側(cè)面與上面執(zhí)行傾斜蒸鍍工序,以形成微圖案強化部的步驟;執(zhí)行第一等離子蝕刻工序,以去除所述微圖案中因沒有形成所述微圖案強化部而以垂直方向露出的區(qū)域的紫外線固化樹脂的步驟;執(zhí)行第二等離子蝕刻工序,以去除所述金屬層中以垂直方向露出的區(qū)域的金屬層的步驟;以及去除殘存于已去除所述以垂直方向露出的區(qū)域的金屬層的上部的微圖案及微圖案強化部的步驟。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種當利用通過執(zhí)行壓印工序并照射紫外線而形成的微圖案執(zhí)行去除金屬層的等離子蝕刻工序時,在微圖案的一側(cè)面與上面形成微圖案強化部,從而能夠有效地去除金屬層的利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法。
背景技術(shù)
近來,如下方法受到關(guān)注:通過在玻璃基板或在薄片上涂布紫外線固化樹脂后接觸執(zhí)行電子束光刻等的工序而制作成的微圖案母模來形成微圖案,向微圖案照射紫外線來固化之后,利用被固化的微圖案執(zhí)行等離子蝕刻,從而形成所需要的圖案。
上述的利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法的優(yōu)點在于能夠容易地形成微圖案,然而相反地,由于在金屬層上形成所需要的圖案時,被壓印的微圖案在執(zhí)行等離子蝕刻工序期間沒有得到充分的維持,因而難以在金屬層上有效地形成所需要的圖案。
本發(fā)明的背景技術(shù)于2006年1月27日在韓國專利局以公開專利公報10-2006-0008663號公開。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)課題
因此,本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本發(fā)明所要解決的技術(shù)課題是提供一種當利用通過執(zhí)行壓印工序并照射紫外線而形成的微圖案執(zhí)行去除金屬層的等離子蝕刻工序時,在微圖案的一側(cè)面與上面形成微圖案強化部,從而能夠有效地去除金屬層的利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)課題并不僅限于上面所提及的技術(shù)課題,本發(fā)明所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員通過以下記載可以準確地理解沒有被提及的其他技術(shù)課題。
技術(shù)方案
為實現(xiàn)上述的目的,本發(fā)明的一實施例的利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法包括:在玻璃基板上形成的金屬層的上面涂布紫外線固化樹脂,執(zhí)行加壓微圖案母模的壓印工序,并在所述紫外線固化樹脂上形成微圖案之后照射紫外線,以固化所述微圖案的步驟;對被固化的所述微圖案的一側(cè)面與上面執(zhí)行傾斜蒸鍍工序,以形成微圖案強化部的步驟;執(zhí)行第一等離子蝕刻工序,以去除所述微圖案中因沒有形成所述微圖案強化部而以垂直方向露出的區(qū)域的紫外線固化樹脂的步驟;執(zhí)行第二等離子蝕刻工序,以去除所述金屬層中以垂直方向露出的區(qū)域的金屬層的步驟;以及去除殘存于已去除所述以垂直方向露出的區(qū)域的金屬層的上部的微圖案及微圖案強化部的步驟。
本發(fā)明的一實施例的利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法在所述形成微圖案強化部的步驟中,所述微圖案強化部優(yōu)選由SiO2、TiO2、SiN或SiON形成。
本發(fā)明的另一實施例的利用被壓印的微圖案的等離子蝕刻方法包括:在玻璃基板上形成的金屬層的上面涂布紫外線固化樹脂,執(zhí)行加壓微圖案母模的壓印工序,并在所述紫外線固化樹脂上形成微圖案之后照射紫外線,以固化所述微圖案的步驟;對被固化的所述微圖案的一側(cè)面與上面執(zhí)行傾斜蒸鍍工序之后,對被固化的所述微圖案的另一側(cè)面與上面執(zhí)行傾斜蒸鍍,以形成微圖案強化部的步驟;執(zhí)行第一等離子蝕刻工序,以去除所述微圖案中因沒有形成所述微圖案強化部而以垂直方向露出的區(qū)域的紫外線固化樹脂的步驟;執(zhí)行第二等離子蝕刻工序,以去除所述金屬層中因以垂直方向露出的區(qū)域的金屬層的步驟;以及去除殘存于已去除所述以垂直方向露出的區(qū)域的金屬層的上部的微圖案及微圖案強化部的步驟。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





