[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件基板的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201880033474.2
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN110663097A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 加藤光治
• 申請（專利權(quán)）人: X-VI株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/12;H01L29/78
• 代理公司: 11277 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種半導(dǎo)體元件基板的制造方法，其特征在于，

該半導(dǎo)體元件基板的制造方法包含以下工序：

薄膜形成工序，在該薄膜形成工序中，在第1臨時基板上形成由第4半導(dǎo)體材料構(gòu)成的分離用薄膜層；

基板形成工序，在該基板形成工序中，在所述分離用薄膜層上形成由第2半導(dǎo)體材料的單晶或多晶構(gòu)成的預(yù)定厚度的支承層且在所述支承層上形成由第3半導(dǎo)體材料的單晶構(gòu)成的第2薄膜層；

元件形成工序，在該元件形成工序中，在所述第2薄膜層形成半導(dǎo)體元件；以及

臨時基板去除工序，在所述元件形成工序后，在該臨時基板去除工序中，以所述分離用薄膜層為界去除所述第1臨時基板，由此得到在所述支承層上具有形成有半導(dǎo)體元件的所述第2薄膜層的半導(dǎo)體元件基板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件基板的制造方法，其中，

所述第2半導(dǎo)體材料與所述第3半導(dǎo)體材料相同，所述支承層由所述第2半導(dǎo)體材料的單晶構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體元件基板的制造方法，其中，

所述第1臨時基板是透光的基板，所述第4半導(dǎo)體材料包含Ga。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導(dǎo)體元件基板的制造方法，其中，

在所述基板形成工序中，在所述支承層上形成由第1半導(dǎo)體材料的單晶構(gòu)成的第1薄膜層，所述第2薄膜層形成在所述第1薄膜層上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件基板的制造方法，其中，

所述基板形成工序包含以下工序：

第1接合工序，在該第1接合工序中，接合由所述第1半導(dǎo)體材料的單晶構(gòu)成的第1基板的一個表面和第2臨時基板；

第1分離工序，在該第1分離工序中，通過在距與所述第2臨時基板之間的接合面預(yù)定深度的位置分離所述第1基板，從而使所述第1基板的所述一個表面?zhèn)茸鳛榈?薄膜層殘留在所述第2臨時基板上；

支承層形成工序，在該支承層形成工序中，在殘留在所述第2臨時基板上的所述第1薄膜層上形成所述支承層；

第2接合工序，在該第2接合工序中，接合所述支承層的表面和形成在所述第1臨時基板上的所述分離用薄膜層的表面；

第2分離工序，在該第2分離工序中，通過去除所述第2臨時基板，從而得到在所述第1臨時基板上隔著所述分離用薄膜層形成有所述支承層和所述第1薄膜層的基板；以及

第1成膜工序，在該第1成膜工序中，在通過所述第2分離工序形成的基板的所述第1薄膜層上成膜所述第2薄膜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導(dǎo)體元件基板的制造方法，其中，

所述基板形成工序包含以下工序：

第1接合工序，在該第1接合工序中，接合由所述第1半導(dǎo)體材料的單晶構(gòu)成的第1基板的一個表面和第2臨時基板；

第1分離工序，在該第1分離工序中，通過在距與所述第2臨時基板之間的接合面預(yù)定深度的位置分離所述第1基板，從而使所述第1基板的所述一個表面?zhèn)茸鳛榈?薄膜層殘留在所述第2臨時基板上；

第1成膜工序，在該第1成膜工序中，在殘留在所述第2臨時基板上的所述第1薄膜層上形成所述第2薄膜層；

支承層形成工序，在該支承層形成工序中，在所述第2薄膜層上形成所述支承層；

第2接合工序，在該第2接合工序中，接合所述支承層的表面和形成在所述第1臨時基板上的所述分離用薄膜層的表面；

第2分離工序，在該第2分離工序中，通過去除所述第2臨時基板，從而得到在所述第1臨時基板上隔著所述分離用薄膜層形成有所述支承層、所述第2薄膜層和所述第1薄膜層的基板；

第1去除工序，在該第1去除工序中，從通過所述第2分離工序形成的基板中去除所述第1薄膜層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體元件基板的制造方法，其中，

該半導(dǎo)體元件基板的制造方法包含氫層形成工序，在該氫層形成工序中，在所述第1基板的距所述一個表面所述預(yù)定深度的位置注入氫離子而形成氫層，

在所述第1分離工序中，以所述氫層為界分離所述第1基板。