[發明專利]在集成電路封裝體的腔中集成無源組件

在審

• 申請號: 201880033252.0
• 申請日: 2018-04-12
• 公開（公告）號: CN110678976A
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: 杰弗里·莫羅尼;拉吉夫·丁卡爾·喬希;斯里尼瓦薩恩·K·科杜里;舒揚·昆達普爾·馬諾哈爾;約格什·K·拉瑪達斯;阿寧迪亞·波達爾
• 申請（專利權）人: 德州儀器公司
• 主分類號: H01L23/043
• 分類號: H01L23/043
• 代理公司: 11287 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 林斯凱

1.一種半導體封裝體，其包括：

引線框架；

半導體管芯，所述半導體管芯附接到所述引線框架；以及

無源組件，所述無源組件通過所述引線框架電連接到所述半導體管芯；

所述引線框架包含腔，所述無源組件的至少一部分安置在所述腔中。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中所述腔處于所述引線框架的面向所述半導體管芯的一側。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝體，其中所述無源組件的一部分位于所述腔內，并且所述無源組件的其余部分處于所述腔外部并且處于所述引線框架與所述半導體管芯之間。

4.根據權利要求2所述的半導體封裝體，其中所述引線框架具有從與所述半導體管芯相反的一側蝕刻并且處于所述腔正下方的部分，并且所蝕刻部分填充有預模制化合物。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中所述引線框架具有厚度T，并且所述腔的深度為T的約50％。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中所述引線框架具有厚度T，并且所述腔的深度介于T的約20％與40％之間。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中所述無源組件的任何部分都不凸出到所述腔之外。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中所述無源組件為電容器。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其進一步包括多個銅柱，所述銅柱用于將所述半導體管芯附接到所述引線框架。

10.一種方法，其包括：

蝕刻導電構件以形成半導體管芯的引線框架；

蝕刻所述引線框架以形成腔；

在所述腔內部將電容器附接到所述引線框架；以及

將所述半導體管芯附接到所述引線框架。

11.根據權利要求10所述的方法，其中蝕刻所述引線框架以形成所述腔包含在所述引線框架的面向所述半導體管芯的一側蝕刻所述引線框架。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述腔的深度小于所述電容器的高度。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述引線框架的厚度為T，并且蝕刻所述引線框架以形成所述腔包含蝕刻所述引線框架，到T的約50％的深度。

14.根據權利要求11所述的方法，其中所述引線框架的厚度為T，并且蝕刻所述引線框架以形成所述腔包含蝕刻所述引線框架，到介于T的約20％與40％之間的深度。

15.一種半導體封裝體，其包括：

引線框架；

半導體管芯，所述半導體管芯附接到所述引線框架；以及

電容器，所述電容器通過所述引線框架電連接到所述半導體管芯；

所述引線框架包含處于所述引線框架的面向所述半導體管芯的一側的腔，并且所述電容器的至少一部分安置在所述引線框架的所述腔內。

16.根據權利要求15所述的半導體封裝體，其中所述無源組件的一部分位于所述腔內，并且所述無源組件的其余部分處于所述腔外部且處于所述引線框架與所述半導體管芯之間。

17.根據權利要求15所述的半導體封裝體，其中所述引線框架具有從與所述半導體管芯相反的一側蝕刻并且處于所述腔正下方的部分，其中所蝕刻部分填充有預模制化合物。

18.根據權利要求15所述的半導體封裝體，其中所述引線框架具有厚度T，并且所述腔的深度為T的約50％。