[發明專利]具有相對對準的通道的雙側面存儲器模塊

有效

• 申請號: 201880029497.6
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN110582809B
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: J·D·凱利;W·H·拉德科;S·J·斯琺瑞歐
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: G11C5/04
• 分類號: G11C5/04;G11C5/06;H05K1/02;H01L25/10
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉玉潔

本公開描述了存儲器封裝、存儲器模塊和電路板。在實施方案中，單通道存儲器封裝被安裝在電路板的相對側面上，該電路板的第一側面也被設計成接受雙通道存儲器封裝。另選地，雙通道存儲器封裝可以被安裝在電路板的第一側面上，該電路板還被設計成接受在相對側面上的單通道封裝。

相關專利申請

本專利申請要求2017年5月5日提交的美國臨時專利申請62/502,554的優先權，該專利申請的全部公開內容以引用方式并入本文。

技術領域

本文所述的實施方案涉及存儲器封裝和模塊。

背景技術

對便攜式和移動電子設備諸如移動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機、便攜式播放器、游戲設備、和其他移動設備的當前市場需求要求將更多性能和特征集成到越來越小的空間中。因此，操作這些設備所需的存儲器的量顯著增加。

低功耗雙倍數據速率隨機存取存儲器(LPDDR RAM)是一種廣泛用于存儲應用程序使用的短期數據的移動存儲器。LPDDR RAM的最新一代包括LPDDR3和LPDDR4。一般來講，LPDDR3標準封裝可包括單個32位通道和兩個列(rank)，而LPDDR4標準封裝可包括兩個16位通道和兩個列。在每個通道均為16個位的情況下，相對于LPDDR3，LPDDR4降低了功耗并提高了運行速度。當前，LPDDR RAM可擴展到4千兆字節(GB)到32GB的存儲密度。

發明內容

描述了存儲器封裝、電路板和存儲器模塊，其可以用于擴展電路板所支持的存儲器的量。在實施方案中，一種存儲器封裝，包括布置在至少兩個列中的多個存儲體，包括第一電源端子和第一信號端子以操作多個存儲體的第一端子部分，以及包括第二電源端子以操作多個存儲體的第二端子部分。與第二端子部分相比，第一端子部分可包括更大數量的總電功能端子和總信號端子。

在實施方案中，電路板具有包括第一側面和第一側面相對的第二側面，該第一側面包括第一封裝著陸區域，該第一封裝著陸區域包括第一著陸焊盤部分和第二著陸焊盤部分，該第二側面包括第二封裝著陸區域，該第二封裝著陸區域包括與第二著陸焊盤部分相對的第三著陸焊盤部分和與第一著陸焊盤部分相對的第四著陸焊盤部分。第一多個互連器電連接在第一著陸焊盤部分和第四著陸焊盤部分中所包含的電源著陸焊盤，第二多個互連器電連接在第二著陸焊盤部分和第三著陸焊盤部分中所包含的電源著陸焊盤和信號著陸焊盤。

在實施方案中，存儲器模塊包括：電路板，安裝在電路板的第一側面上的四個第一封裝，每個第一封裝包括單獨的單通道和四個列，以及安裝在電路板的第二側面上與四個第一封裝正對的四個第二封裝，每個第二封裝包括單獨的單通道和四個列。

在實施方案中，存儲器模塊包括電路板，安裝在電路板的第一側面上的第一存儲器封裝和安裝在電路板的與第一側面相對的第二側面上的第二存儲器封裝。第一存儲器封裝包括第一端子部分和第二端子部分，該第一端子部分包括第一電源端子和第一信號端子，以操作包含在第一存儲器封裝中的第一多個存儲體，該第二端子部分包括第二電源端子，以操作第一多個存儲體。第二存儲器封裝包括第三端子部分和第四端子部分，該第三端子部分包括第三電源端子和第二信號端子，以操作包含在第二存儲器封裝中的第二多個存儲體，該第四端子部分包括第四電源端子以操作第二多個存儲體。在實施方案中，電路板附加包括互連器的一部分，該互連器的一部分將第一電源端子與第四電源端子電連接，并將第二電源端子與第三電源端子電連接。