[發明專利]底部填充材料、底部填充薄膜及使用其的半導體裝置的制備方法

有效

• 申請號: 201880029346.0
• 申請日: 2018-05-16
• 公開（公告）號: CN110582841B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 本村大助
• 申請（專利權）人: 迪睿合株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;C09D4/02;C09D133/00;C09D133/16;H01L21/56
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張桂霞;楊戩

1.底部填充材料，其中，所述材料是配置在半導體芯片與電路基板之間，若固化，則將所述半導體芯片固定在所述電路基板上的未固化的底部填充材料，

所述材料含有由丙烯酸聚合物、丙烯酸單體和馬來酰亞胺化合物構成的主要組合物，

在100質量份的上述主要組合物中以10質量份以上且60質量份以下的范圍含有上述丙烯酸聚合物，

在100質量份的上述主要組合物中以20質量份以上且70質量份以下的范圍含有上述馬來酰亞胺化合物。

2.權利要求1所述的底部填充材料，其中，在100質量份的上述主要組合物中以10質量份以上且60質量份以下的范圍含有上述丙烯酸單體。

3.權利要求1或2所述的底部填充材料，其中，上述主要組合物中的上述丙烯酸聚合物的重均分子量Mw為100000以上且1200000以下的范圍。

4.權利要求1所述的底部填充材料，其中，上述丙烯酸單體含有芴系丙烯酸酯。

5.權利要求1所述的底部填充材料，其中，上述馬來酰亞胺化合物在1分子中含有2個以上的馬來酰亞氨基。

6.權利要求1所述的底部填充材料，其中，上述馬來酰亞胺化合物為雙馬來酰亞胺。

7.權利要求1所述的底部填充材料，其中，所述材料進一步含有苯酚化合物。

8.底部填充薄膜，其中，所述薄膜是配置在半導體芯片與電路基板之間，若固化，則將所述半導體芯片固定在所述電路基板上的未固化的底部填充薄膜，

所述薄膜含有由丙烯酸聚合物、丙烯酸單體和馬來酰亞胺化合物構成的主要組合物，

在100質量份的上述主要組合物中將上述丙烯酸聚合物設為10質量份以上且60質量份以下的范圍，

在100質量份的上述主要組合物中將上述馬來酰亞胺化合物設為20質量份以上且70質量份以下的范圍。

9.權利要求8所述的底部填充薄膜，其中，在100質量份的上述主要組合物中以10質量份以上且60質量份以下的范圍含有上述丙烯酸單體。

10.權利要求8所述的底部填充薄膜，其中，上述主要組合物中的上述丙烯酸聚合物的重均分子量Mw為100000以上且1200000以下的范圍。

11.權利要求8所述的底部填充薄膜，其中，上述丙烯酸單體含有芴系丙烯酸酯。

12.權利要求8所述的底部填充薄膜，其中，上述馬來酰亞胺化合物在1分子中含有2個以上的馬來酰亞氨基。

13.權利要求8所述的底部填充薄膜，其中，上述馬來酰亞胺化合物為雙馬來酰亞胺。

14.權利要求8所述的底部填充薄膜，其中，所述薄膜進一步含有苯酚化合物。

15.權利要求8所述的底部填充薄膜，其中，拉伸斷裂強度的值包含在0.01MPa以上且5.0MPa以下的范圍內。

16.半導體裝置的制備方法，其中，所述方法是在半導體芯片的設置有凸點的表面與電路基板的表面之間配置底部填充薄膜，通過所述底部填充薄膜將所述半導體芯片與所述電路基板粘接而制備半導體裝置的半導體裝置的制備方法，

上述底部填充薄膜含有由丙烯酸聚合物、丙烯酸單體和馬來酰亞胺化合物構成的主要組合物，

在100質量份的上述主要組合物中以10質量份以上且60質量份以下的范圍含有上述丙烯酸聚合物，

在100質量份的上述主要組合物中以20質量份以上且70質量份以下的范圍含有上述馬來酰亞胺化合物。

17.權利要求16所述的半導體裝置的制備方法，其中，所述方法具有：

臨時固定工序，所述工序是在上述半導體芯片與上述電路基板之間配置有上述底部填充薄膜的狀態下一面加熱上述半導體芯片，一面對上述電路基板進行擠壓，將位于上述半導體芯片與上述電路基板之間的上述底部填充薄膜的一部分從上述半導體芯片與上述電路基板之間擠出，使上述半導體芯片的凸點與上述電路基板的基板電極接觸；和

搭載工序，所述工序是將上述半導體芯片、上述電路基板和上述底部填充薄膜升溫至比在上述臨時固定工序中升溫的溫度高的溫度，在將上述凸點熔化后，將上述半導體芯片、上述底部填充薄膜和上述電路基板降溫，使熔化的上述凸點在與上述基板電極接觸的狀態下固化。