[發明專利]底部填充材料、底部填充薄膜及使用其的半導體裝置的制備方法

有效

• 申請號: 201880029346.0
• 申請日: 2018-05-16
• 公開（公告）號: CN110582841B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 本村大助
• 申請（專利權）人: 迪睿合株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;C09D4/02;C09D133/00;C09D133/16;H01L21/56
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張桂霞;楊戩

本發明提供可實現低壓安裝和無間隙安裝的底部填充材料和使用該材料的半導體裝置的制備方法。所述底部填充材料由含有丙烯酸聚合物、丙烯酸單體和馬來酰亞胺化合物的主要組合物構成，在100質量份的主要組合物中以10質量份以上且60質量份以下的范圍含有丙烯酸聚合物，在100質量份的主要組合物中以20質量份以上且70質量份以下的范圍含有馬來酰亞胺化合物?？蓪崿F低壓安裝和無間隙安裝。

技術領域

本發明涉及底部填充材料、底部填充薄膜(底部填充膜)及使用其的半導體裝置的制備方法。

背景技術

近年來，在半導體芯片的安裝方法中，以縮短工序為目的，研究了在半導體IC(Integrated?Circuit)的電極上貼附底部填充薄膜的“預供給型底部填充薄膜(PUF：Pre-applied?Underfill?Film)”的使用。使用該預供給型底部填充薄膜的安裝方法，例如，如下進行(參照專利文獻1)。

工序A：在晶圓上貼附底部填充薄膜，切割晶圓而得到半導體芯片。

工序B：在貼合有底部填充薄膜的狀態下，使半導體芯片對位而配置在電路基板上。

工序C：熱壓合半導體芯片，利用焊接凸點的金屬結合來確保導通，并利用底部填充薄膜的固化來進行粘接。

在半導體芯片的安裝方法中，作為接合焊接凸點的粘接劑，例如提出了使用環氧樹脂的熱固化粘接劑(參照專利文獻2)。另外，從低吸濕性、良好的固化性和長期的可使用時間(pot?life，適用期)的觀點出發，還進行了雙馬來酰亞胺類等的固化性樹脂的研究(參照專利文獻3)。

對于底部填充技術，近年來，需要得到可實現低壓安裝和無間隙安裝的底部填充薄膜的底部填充材料。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-028734號公報；

專利文獻2：日本特開2006-335817號公報；

專利文獻3：日本特開2014-169450號公報。

發明內容

發明所要解決的課題

本技術是鑒于上述以往的實際情況而開發的技術，提供可進行低壓安裝和無間隙安裝的底部填充材料、底部填充薄膜及使用其的半導體裝置的制備方法。

用于解決課題的手段

本發明的發明人發現，通過將含有丙烯酸聚合物、丙烯酸單體和馬來酰亞胺化合物作為主要組合物的底部填充材料中的丙烯酸聚合物和馬來酰亞胺化合物的含量設為特定范圍，可解決上述課題。

本發明為底部填充材料，其中，所述材料是配置在半導體芯片與電路基板之間，若固化，則將所述半導體芯片固定在所述電路基板的未固化的底部填充材料，所述材料含有由丙烯酸聚合物、丙烯酸單體和馬來酰亞胺化合物構成的主要組合物，在100質量份的上述主要組合物中以10質量份以上且60質量份以下的范圍含有上述丙烯酸聚合物，在100質量份的上述主要組合物中以20質量份以上且70質量份以下的范圍含有上述馬來酰亞胺化合物。

本發明為底部填充材料，其中，在100質量份的上述主要組合物中以10質量份以上且60質量份以下的范圍含有上述丙烯酸單體。

本發明為底部填充材料，其中，上述主要組合物中的上述丙烯酸聚合物的重均分子量Mw為100000以上且1200000以下的范圍。

本發明為底部填充材料，其中，上述丙烯酸單體含有芴系丙烯酸酯。

本發明為底部填充材料，其中，上述馬來酰亞胺化合物在1分子中含有2個以上的馬來酰亞氨基。

本發明為底部填充材料，其中，上述馬來酰亞胺化合物為雙馬來酰亞胺。