[發(fā)明專利]具有帶有IR反射層以及含有多個(gè)層的高折射率氮化電介質(zhì)膜的低E涂層的涂覆制品

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880028021.0
• 申請日: 2018-03-08
• 公開（公告）號: CN110573469B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁國文;丹尼爾·施魏格特;明·勒;布倫特·博伊斯
• 申請（專利權(quán)）人: 佳殿玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李新紅

1.一種涂覆制品，其包括由玻璃基底支撐的涂層，所述涂層包括：

所述玻璃基底上的第一電介質(zhì)膜；

所述玻璃基底上的紅外(IR)反射層，所述紅外(IR)反射層位于至少所述第一電介質(zhì)膜上方；

所述玻璃基底上的第二電介質(zhì)膜，所述第二電介質(zhì)膜位于至少所述IR反射層上方；并且

其中所述第一電介質(zhì)膜和所述第二電介質(zhì)膜中的至少一者包含：(a)包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率電介質(zhì)層，其中所述第一高折射率電介質(zhì)層包含比Si多的Zr，以及(b)包含鈦的氧化物的第二高折射率電介質(zhì)層，所述第二高折射率電介質(zhì)層直接接觸所述第一高折射率電介質(zhì)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆制品，其中所述第一高折射率電介質(zhì)層和所述第二高折射率電介質(zhì)層各自在550nm具有至少2.21的折射率(n)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的涂覆制品，其中所述第一高折射率電介質(zhì)層和所述第二高折射率電介質(zhì)層各自在550nm具有至少2.25的折射率(n)。

4.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的涂覆制品，其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率電介質(zhì)層還包含Al。

5.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的涂覆制品，其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率電介質(zhì)層具有包含30％-80％Zr和3％-25％Si(原子％)的金屬含量。

6.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的涂覆制品，其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率電介質(zhì)層具有包含35％-75％Zr和3％-15％Si(原子％)的金屬含量。

7.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的涂覆制品，其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率電介質(zhì)層具有包含30％-80％Zr、3％-25％Si和15％-50％Al(原子％)的金屬含量。

8.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的涂覆制品，其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率電介質(zhì)層具有包含30％-80％Zr、3％-25％Si和20％-40％Al(原子％)的金屬含量。

9.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的涂覆制品，其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率電介質(zhì)層還包含Al并且包含比Si和Al各自都多的Zr(原子％)。

10.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的涂覆制品，其中在所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率電介質(zhì)層中，Zr在任意金屬之中具有最高金屬含量(原子％)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的涂覆制品，其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率電介質(zhì)層還包含Al，并且其中在所述第一高折射率電介質(zhì)層中，Al在任意金屬之中具有第二最高金屬含量(原子％)。

12.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的涂覆制品，其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率電介質(zhì)層包含至少兩倍于Si的Zr。

13.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的涂覆制品，其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率電介質(zhì)層包含至少四倍于Si的Zr。

14.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的涂覆制品，其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率電介質(zhì)層還包含Al，并且包含至少1.4倍于Al的Zr(原子％)。

15.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的涂覆制品，其中所述涂層為低E涂層并且具有不大于0.2的法向發(fā)射率(E_n)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的涂覆制品，其中所述涂層為低E涂層并且具有不大于0.10的法向發(fā)射率(E_n)。