[發明專利]具有包含TaC的涂層的碳材料及其制造方法有效
| 申請號: | 201880028002.8 | 申請日: | 2018-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN110573476B | 公開(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發明(設計)人: | 曺東完 | 申請(專利權)人: | 韓國東海炭素株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/32 | 分類號: | C23C16/32;C04B41/87;C04B35/52;C04B38/00;C04B41/45;C04B41/50;C04B41/00 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 包含 tac 涂層 材料 及其 制造 方法 | ||
1.一種具有包含TaC的涂層的碳材料,包括:
碳基材;及
在所述碳基材上形成的,由XRD分析的X線回折所發生的(111)面的回折峰值為最大值的包含TaC的涂層,
其中所述包含TaC的涂層是通過化學氣相沉積CVD形成的,
其中所述包含TaC的涂層的(200)面回折峰值與(111)面回折峰值之比少于或等于0.40,其中所述回折峰值由XRD分析中的XRD生成,
其中所述包含TaC的涂層的XRD分析的回折線的半寬度少于或等于0.15°。
2.根據權利要求1所述的具有包含TaC的涂層的碳材料,其中,所述包含TaC的涂層的表面硬度根據以下數學式1計算,
數學式1
表面硬度值/GPa=-38A2+12A+14至17
A:XRD分析時包含TaC的涂層的(200)面的回折峰值/(111)面的回折峰值。
3.根據權利要求1所述的具有包含TaC的涂層的碳材料,其中,所述包含TaC的涂層,平均結晶粒大小為10?-50?。
4.根據權利要求1所述的具有包含TaC的涂層的碳材料,其中,所述包含TaC的涂層的表面硬度在15GPa以上。
5.根據權利要求1所述的具有包含TaC的涂層的碳材料,其中,所述包含TaC的涂層的表面刮痕實驗值在3.5N以上。
6.根據權利要求1所述的具有包含TaC的涂層的碳材料,其中,自所述碳基材表面深度為80?-150?的區域的TaC含量為15vol%至20vol%。
7.根據權利要求1所述的具有包含TaC的涂層的碳材料,其中,所述包含TaC的涂層的表面刮痕值根據以下數學式2計算,
數學式2
表面刮痕值/N=自所述碳基材表面深度為80?-150?的區域的TaC含量/vol%×(1.4至1.6)-19.5。
8.根據權利要求1所述的具有包含TaC的涂層的碳材料,其中,所述碳基材的熱膨脹系數為7.0×10-6/K至7.5×10-6/K。
9.一種具有包含TaC的涂層的碳材料的制造方法,包括以下步驟:
準備碳基材;及
在所述碳基材上在1500 ℃以上溫度,利用CVD法形成由XRD分析的X線回折所發生的峰值中,(111)面的回折峰值為最大值的包含TaC的涂層,
其中所述包含TaC的涂層的(200)面回折峰值與(111)面回折峰值之比少于或等于0.40,其中所述回折峰值由XRD分析中的XRD生成,
其中所述包含TaC的涂層的XRD分析的回折線的半寬度少于或等于0.15°。
10.根據權利要求9所述的具有包含TaC的涂層的碳材料的制造方法,其中,所述形成包含TaC的涂層的步驟之后,進一步包括在1800℃以上溫度進行熱處理的步驟。
11.根據權利要求10所述的具有包含TaC的涂層的碳材料的制造方法,進一步包括,所述形成包含TaC的涂層的步驟與所述熱處理的步驟之間進行冷卻的步驟。
12. 根據權利要求9所述的具有包含TaC的涂層的碳材料的制造方法,其中,所述形成包含TaC的涂層的步驟,根據所述具有包含TaC的涂層的碳材料的所需表面硬度值,包含TaC的涂層形成為具有滿足以下數學式1的(111)面的回折峰值與(200)面的回折峰值之比,
數學式1
表面硬度值/GPa=-38A2+12A+14至17
A:XRD分析時包含TaC的涂層的(200)面的回折峰值/(111)面的回折峰值。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于韓國東海炭素株式會社,未經韓國東海炭素株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880028002.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





