[發(fā)明專利]固化物圖案的制造方法和光學部件、電路板和石英模具復制品的制造方法以及用于壓印預處理的涂覆材料及其固化物在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880026809.8 | 申請日: | 2018-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN110546734A | 公開(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 加藤順;伊藤俊樹 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;B29C59/02 |
| 代理公司: | 11038 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 劉強<國際申請>=PCT/JP2018/ |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固化性組合物 聚合性化合物 固化物圖案 基板 混合組合物 物理性質(zhì) 溶劑 放熱 分配 配置 液滴 液膜 注料 制造 | ||
提供了以高的生產(chǎn)量在基板的注料區(qū)域中具有均勻物理性質(zhì)的固化物圖案的制造方法。固化物圖案的制造方法包括第一步驟(配置步驟),在基板上配置由固化性組合物(α1)的液膜形成的層,該固化性組合物(α1)至少含有作為聚合性化合物的成分(A1),和第二步驟(分配步驟),將固化性組合物(α2)的液滴離散地分配至由除了作為溶劑的成分(D1)之外的固化性組合物(α1)的成分的組合物(α1')形成的層上,該固化性組合物(α2)至少含有作為聚合性化合物的成分(A2),其中:混合組合物(α1')和固化性組合物(α2)是放熱的。
[技術(shù)領(lǐng)域]
本發(fā)明涉及固化物圖案的制造方法,光學部件、電路板和石英模具復制品的制造方法,和用于壓印預處理的涂覆材料及其固化物。
[背景技術(shù)]
存在對于半導體器件、MEMS等日益增加的小型化要求。特別地,光納米壓印技術(shù)已經(jīng)引起關(guān)注。在光納米壓印技術(shù)中,在將具有在其表面上形成的細微凹/凸圖案的模具壓在對其施加了光固化性組合物(抗蝕劑)的基板(晶片)上的狀態(tài)下,使該抗蝕劑固化。這樣地,將模具的凹/凸圖案轉(zhuǎn)印至抗蝕劑的固化物上并因此在基板上形成圖案。根據(jù)光納米壓印技術(shù),可在基板上形成具有幾納米量級的細微結(jié)構(gòu)體。
在光納米壓印技術(shù)中,首先將抗蝕劑施加至基板上的圖案形成區(qū)域(配置步驟)。接下來,使用在其上形成圖案的模具成形抗蝕劑(模具接觸步驟)。然后,用光照射抗蝕劑以固化(光照射步驟),并然后脫模模具(脫模步驟)。那些步驟的性能導致在基板上形成具有預定形狀的樹脂圖案(光固化物)。此外,在基板上任何其它位置處重復所有步驟可導致在整個基板上形成細微結(jié)構(gòu)體。
參考圖1的示意截面圖描述通過在專利文獻1中公開的光納米壓印技術(shù)用于制造圖案的方法。首先,通過使用噴墨法將液體固化性組合物(抗蝕劑)102離散地逐滴分配至基板101上的圖案形成區(qū)域上(配置步驟(1),圖1(a)至圖1(c))。逐滴分配的固化性組合物102的液滴如箭頭104所示在基板101上擴展,箭頭104各自表示液滴擴展的方向(圖1(c)),并且該現(xiàn)象稱為預擴展。接下來,用模具105成形固化性組合物102,該模具105具有其上形成的圖案,該模具對之后描述的照射光106是透明的(模具接觸步驟(2),圖1(d)及其放大部分)。在模具接觸步驟中,固化性組合物102的液滴如箭頭104所示在基板101和模具105之間的整個間隙區(qū)域中擴展,箭頭104顯示液滴擴展的方向(圖1(d)及其放大部分)。該現(xiàn)象稱為擴展。另外,在模具接觸步驟中,固化性組合物102如箭頭104所示由于毛細現(xiàn)象填充在模具105上的凹部中,箭頭104各自表示液滴擴展的方向(圖1(d)的放大部分)。該填充現(xiàn)象稱為填充。對于完成擴展和填充所需的時間稱為填充時間。在已經(jīng)完成固化性組合物102的填充之后,用照射光106照射使固化性組合物102使其固化(光照射步驟(3),圖1(e)),并然后使基板101與模具105脫模(脫模步驟(4),圖1(f))。當相繼進行那些步驟時,在基板101上形成了具有預定形狀的固化的固化性組合物102的圖案(光固化膜107,圖1(f)及其放大部分)。殘余膜108可保留在抗蝕劑圖案的凹部中,其對應于模具105的凸部(圖1(f)的放大部分)。
[引用列表]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利申請公開號2010-073811
[非專利文獻]
[非專利文獻1]S.Reddy,R.T.Bonnecaze,Microelectronic Engineering,82,60-70(2005)
[非專利文獻2]N.Imaishi,Int.J.Microgravity Sci.No.31 Supplement 2014(S5-S12)
[發(fā)明內(nèi)容]
[問題解決方案]
專利文獻1中公開的光納米壓印技術(shù)涉及以下問題:從開始模具接觸至完成擴展和填充的時間段(填充時間)長,并因此生產(chǎn)量通常低。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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