[發明專利]用于半導體封裝處理的方法和設備

有效

• 申請號: 201880025693.6
• 申請日: 2018-04-09
• 公開（公告）號: CN110520975B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發明（設計）人: P·利安托;G·H·施;A·桑達拉江;R·R·阿內帕利;P·古拉迪雅
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/321;H01L21/768;H01L23/28
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;張鑫

一種使用化學機械平坦化(CMP)的扇出處理，降低介于半導體管芯與重新組成的晶片周圍包覆成型之間的臺階高度。重新組成的晶片通過對至少一個管芯的背側包覆成型而形成，所述至少一個管芯放置為有源側面向下。重新組成的晶片接著定向以暴露管芯以及有源側。接著在重新組成的晶片上形成聚合物層。CMP工藝接著移除聚合物層的一部分，直到獲得管芯表面上方的特定厚度，而降低介于管芯表面的頂部上的聚合物層與鄰接成型復合表面上的聚合物層之間的臺階高度。還可在重新組成的晶片上形成后續重新分配層之后執行CMP工藝。

技術領域

本原理的實施例總體涉及在封裝半導體器件中所使用的半導體工藝。

背景技術

半導體晶片經處理以在晶片表面上形成結構。在晶片的特定區域上的結構可鏈接在一起以形成微電路。在處理期間晶片可在晶片的表面上構成許多不同的微電路。一旦結束處理晶片之后，晶片被分割或單分化，以將微電路分成半導體“芯片”。芯片通常含有需要與外部部件互相作用的復雜電路。芯片的內部電路太小而無法直接連接至外部部件。為了克服外部連接問題，形成引出導線(lead?out)，所述引出導線將芯片的內部電路連接至允許用于外部連接的墊片或焊球。引出導線在半導體芯片的隨后的封裝處理期間以稱為“重新分配層”的方式形成。

來自不同晶片的芯片可通過將芯片放置于表面上且在晶片之上灌注成型化合物而結合在一起，以再次形成新的晶片或“重新組成的”晶片。成型化合物硬化使得芯片可被整合處置用于重新分配層處理。通用的技術為將重新組成的晶片結合至暫時的載具以在處理期間提供剛性。然而，暫時結合和接著的去結合是昂貴且耗時的。此外，使用暫時載具的技術還需要針對重新分配層工藝的添加成本并減少產量的額外的處理步驟。

因此，發明人已提供用于重新分配層處理的改進的方法和裝置。

發明內容

在某些實施例中，一種處理半導體基板的方法包括以下步驟：對至少一個管芯的非有源側包覆成型，以形成重新組成的晶片；定向重新組成的晶片，以暴露具有至少一個管芯的有源側的第一側；在重新組成的晶片的第一側上沉積第一材料層；在重新組成的晶片的第一側上沉積第一材料層；和平坦化第一材料層而并不暴露至少一個管芯的有源側。在某些實施例中，方法可進一步包括一個、超過一個或所有的以下步驟：在平坦化第一材料層之后，于第一材料層中形成至少一個通孔，所述至少一個通孔與至少一個管芯電連接且延伸至第一材料層的第一表面；在重新組成的晶片上形成第一重新分配層，在第一重新分配層之上沉積第二材料層，和平坦化形成于第一重新分配層上的第二材料層；在至少一個有源側上形成重新分配層，所述重新分配層具有至少兩個引出導線，所述至少兩個引出導線具有大約大于0/0μm至小于或等于大約2/2μm的線和間隔；在平坦化第二材料層之后，于第二材料層中形成至少一個通孔，所述至少一個通孔與第一重新分配層電連接且延伸至第二材料層的第二表面；在重新組成的晶片的第二側上使用載具，以于后續處理期間提供剛性；在于重新組成的晶片上沉積第一材料層之前，于重新組成的晶片上建立結構；材料層為基于聚合物的材料；平坦化工藝為化學機械平坦化工藝；和/或使用旋轉涂布工藝在重新組成的晶片上沉積至少一個材料層。