[發明專利]用于半導體封裝處理的方法和設備

有效

• 申請號: 201880025693.6
• 申請日: 2018-04-09
• 公開（公告）號: CN110520975B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發明（設計）人: P·利安托;G·H·施;A·桑達拉江;R·R·阿內帕利;P·古拉迪雅
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/321;H01L21/768;H01L23/28
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;張鑫

1.一種處理半導體基板的方法，包括以下步驟：

將至少一個管芯的非有源側包覆成型以形成重新組成的晶片；

將所述重新組成的晶片定向以暴露具有所述至少一個管芯的至少一個有源側的第一側；

在所述重新組成的晶片的所述第一側上沉積第一材料層以使得所述至少一個管芯的所述至少一個有源側上的所述第一材料層與所述包覆成型上的所述第一材料層之間具有高度差；和

在不暴露所述至少一個管芯的所述有源側的情況下平坦化所述第一材料層以降低所述高度差。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：

在平坦化所述第一材料層之后，于所述第一材料層中形成至少一個通孔，所述通孔與所述至少一個管芯電連接并且延伸至所述第一材料層的第一表面。

3.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：

在所述重新組成的晶片上形成第一重新分配層；

在所述第一重新分配層上沉積第二材料層；和

將形成于所述第一重新分配層上的所述第二材料層平坦化。

4.如權利要求3所述的方法，進一步包括以下步驟：

在所述至少一個有源側上形成重新分配層，所述重新分配層具有至少兩個引出導線，所述至少兩個引出導線具有大于0/0μm至小于或等于2/2μm的線和間隔。

5.如權利要求3所述的方法，進一步包括以下步驟：

在平坦化所述第二材料層之后，于所述第二材料層中形成至少一個通孔，所述通孔與所述第一重新分配層電連接并且延伸至所述第二材料層的第二表面。

6.一種處理半導體基板的方法，包括以下步驟：

將至少一個管芯放置在基板表面上，其中所述至少一個管芯的至少一個有源側朝向所述基板表面；

將所述至少一個管芯的至少一個非有源側包覆成型，以形成重新組成的晶片；

固化所述包覆成型；

從所述基板表面釋放所述重新組成的晶片，并且暴露所述重新組成的晶片的第一側，所述重新組成的晶片的所述第一側具有所述至少一個管芯的所述至少一個有源側；

在所述重新組成的晶片的所述第一側上旋轉涂布第一聚合物層，以使得所述至少一個管芯的所述至少一個有源側上的所述第一聚合物層與所述包覆成型的所述第一聚合物層具有高度差；和

化學機械平坦化所述第一聚合物層，以在靠近所述至少一個管芯和鄰接表面的轉變點處降低臺階高度距離并且降低所述高度差。

7.如權利要求6所述的方法，進一步包括以下步驟：

降低至少一個臺階高度，直到所述至少一個臺階高度大于0μm至小于或等于1μm。

8.如權利要求6所述的方法，進一步包括以下步驟：

在化學機械平坦化所述第一聚合物層之后，于所述第一聚合物層中形成至少一個通孔，所述通孔與所述至少一個管芯的所述至少一個有源側電連接且延伸至所述第一聚合物層的第一表面。

9.如權利要求6所述的方法，進一步包括以下步驟：

在所述重新組成的晶片上形成第一重新分配層；

在所述第一重新分配層上旋轉涂布第二聚合物層；和

將形成于所述第一重新分配層上的所述第二聚合物層化學機械平坦化。

10.如權利要求9所述的方法，進一步包括以下步驟：

在所述至少一個有源側上形成重新分配層，所述重新分配層具有至少兩個引出導線，所述至少兩個引出導線具有大于0/0μm至小于或等于2/2μm的線和間隔。

11.如權利要求9所述的方法，進一步包括以下步驟：

在化學機械平坦化所述第二聚合物層之后，于所述第二聚合物層中形成至少一個通孔，所述通孔與所述第一重新分配層電連接且延伸至所述第二聚合物層的第二表面。