[發明專利]處理腔導向裝置、處理腔和用于將基體支架引導至處理位置處的方法

在審

• 申請號: 201880025293.5
• 申請日: 2018-03-19
• 公開（公告）號: CN110520557A
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: S·瑞伯;K·席林格;B·瑞卡特
• 申請（專利權）人: 奈克斯沃夫有限公司
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02;C23C16/458;C23C16/54;H01L21/677;C23C14/56;C23C16/24;C30B25/12;C23C16/44
• 代理公司: 11447 北京英創嘉友知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 桑傳標<國際申請>=PCT/EP2018

本發明涉及一種處理腔導向裝置，所述處理腔導向裝置構造成用于沿導向方向直線引導能在所述處理腔導向裝置中移動的基體支架，以利用所述基體支架向處理位置處的移動，使得處理腔導向裝置和基體支架至少構成處理腔導向裝置的局部的邊界。本發明的特征在于，所述處理腔導向裝置具有用于基體支架的滾動體支承結構和至少一個密封面，所述密封面平行于導向方向延伸并且構造和設置成使得，當設置在處理腔導向裝置中的基體支架處于處理位置處時，密封面與基體支架隔開小于1mm的間距。本發明還涉及一種處理腔和一種用于將基體支架引導到處理位置處的方法。

技術領域

本發明涉及一種處理腔導向裝置、一種處理腔和一種用于將基體支架引導到處理位置處的方法。

背景技術

在例如為了向生長基質上沉積半導體層而給基體涂層時，使用這樣的基體支架：將生長基質設置在所述基體支架上。接下來通過處理腔導向裝置將該基體支架帶入處理位置處。

已知的是，給該基體支架設置下部的和上部的處理腔導向裝置，從而能夠使基體支架平行地在處理腔導向裝置中移動，并且在處理位置處構成處理腔，該處理腔在側面通過基體支架來限定，并且向上和向下通過處理腔導向裝置來限定。例如從WO 2013/004851A1已知的這種裝置。

發明內容

本發明的目的在于，改進在先已知的處理腔導向裝置，以便能夠實現更好的處理條件。

該目的通過根據權利要求1所述的處理腔導向裝置、根據權利要求8所述的處理腔、根據權利要求17所述的用于向基體上化學沉積層的裝置和根據權利要求18所述的用于將基體支架引導至處理位置處的方法來實現。在從屬權利要求中給出有利的設計方案。

優選地，所述處理腔導向裝置構造成用于執行根據本發明的方法、特別是執行所述方法的有利的實施形式。優選地，根據本發明的方法設計成用于通過根據本發明的處理腔導向裝置來實施，特別是由所述處理腔導向裝置的優選實施形式來實施。

根據本發明的處理腔導向裝置構造成用于沿導向方向直線引導在輸送處理腔導向裝置中可移動的基體支架。由此利用所述基體支架向處理位置處的移動使得，能通過處理腔導向裝置和基體支架至少構成處理腔導向裝置的局部的邊界。

由WO 2013/004851 A1已知的對此的一個例子，其具有構造成軌道3的處理腔導向裝置，基體支架1能在所述處理腔導向裝置中移動(見WO2013/004851A1的圖1)。基體支架1和軌道3構成處理腔的局部邊界。

重要的是，在本發明中，所述處理腔導向裝置具有至少一個密封面，所述密封面平行于導向方向延伸并且構造和設置成使得，當設置在處理腔導向裝置中的基體支架處于處理位置處時，密封面與基體支架間隔開小于1mm、優選小于0.5mm、特別是小于0.2mm的間距。

本發明基于這樣認知，即，目前的處理腔導向裝置具有這樣缺點：例如對于純滑動導向裝置，進入處理腔導向裝置的顆粒會導致運動困難或鎖止。同樣可能形成磨屑，這種磨屑會進入處理腔并且在這里的磨屑可能導致所沉積的層質量降低。通過與基體支架隔開小于1mm、優選小于0.5mm的間距的密封面，能夠確保在基體支架和處理腔導向裝置之間有足夠的密封，從而只有很少的工藝氣體能夠在基體支架和密封面之間穿過。

因此，密封面用于在處理腔導向裝置和在處理腔導向裝置中位于處理位置處的基體支架之間至少實現近似密封。為了改進密封效果，有利的是，所述密封面具有至少2mm、特別是至少10mm、優選地至少20mm的寬度，并且所述密封面垂直于導向方向并且平行于設置在處理腔導向裝置中的基體支架的表面。

為了避免在處理腔導向裝置中引導的基體支架與密封面之間發生接觸，所述處理腔導向裝置有利地構造成使得，在處理位置處，密封面與基體支架朝向密封面的表面之間具有至少0.02mm、特別是至少0.05mm、優選至少0.1mm的間距。